以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分

基于结终端扩展的kV级硅基GaN准垂直结构pn二极管刘轩，王茂俊*，魏进，文正，解冰，郝一龙，杨学林，沈波北京大学

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面向氮化物全彩显示的InGaN基红光Mini/Micro-LED研究陈兆营，盛博文，刘放，李铎，袁泽兴，葛惟昆，沈波，梁文骥，赵春雷，闫龙，Jason Hoo，郭世平，王新强*北京大学