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中国科学院北京纳米能
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中国科学院北京纳米能
宽禁带材料具有非中心对称的晶体结构,因而表现出显著的压电特性,长期以来这些材料中压电极化电荷和半导体特性的耦合过程被忽略。近年来对于压电电子学和压电光电子学的基础及应用研究取得了快速地发展。多种功能材料中的压电电子学和压电光电子学的基本效应得到了系统深入地研究,相关的理论体系得以建立,诸多压电电子学和压电光电子学器件也被设计研发。会上,王中林院士带来了压电学理论与研究成果的分享,报告结合具体的数据
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guansheng
2022-09-10 15:42
江苏第
三代半导体
研究
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江苏第
三代半导体
研究
GaN基Micro-LED同质外延及其性能表征王国斌*,闫其昂,周溯沅,李增林,苏旭军,刘宗亮,王建峰,徐科江苏第三代半导体研究院有限公司中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司
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guansheng
2022-09-01 11:36
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