《GaN基增强型HEMT器件关键技术》作者：黄火林单位：大连理工大学光电工程与仪器科学学院

NiO/AlGaN interface reconstruction and transport manipulation of p-NiO gated AlGaN/GaN HEMTsAuthor: Hui Guo, Hehe Gong, Xinxin Yu, Rui Wang, Qing Cai, Danfeng Pan, Jiandong Ye, Bin Liu, Dunjun Chen, Hai Lu, Rong Zhang, Youdou Zheng单位/Institute: 南京大学电子科学与工程学院

《肖特基p型栅结构GaN基HEMTs中Vth的影响机理》作者：吴千树，何亮，张津伟，陈佳，黎城朗，张琦，丘秋凌，刘振兴，周毓昊，吴志盛，贺志远，刘扬单位：中山大学电子与信息工程学院，工业和信息化部电子第五研究所

Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：刘婷, 渡边浩崇 ,新田州吾,王嘉,于国浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫单位：名古屋大学未来材料系统研究所，名古屋大学电子学系，北京化工大学数理学院

《常关型 GaN PNJ-HEMT 栅极漏电机理及阈值电压稳定性》作者：化梦媛，李玲玲，王成财，姜作衡单位：南方科技大学