黄洪:单晶氧化镓深紫
3140
黎明锴:基于二氧化锡
2330
吴征远:极高响应度与
1790
程其进:氧化镓基日盲
2410
刘增:Strategies of
1840
龙世兵:超宽禁带氧化
3430
朱昱豪:基于氮化镓金
2630
汪洋:半导体用SiC涂
1610
皮孝东:半导体碳化硅
1490
袁昊:万伏级4H-SiC基
2180
陆海:面向复杂电气应
4440
化梦媛:常关型 GaN P
2030
马骋:硅基氮化镓外延
2420
朱广润:微波毫米波器
刘建勋:大尺寸硅基Ga
2530
马晓华:面向终端应用
冯志红:氮化镓高功率
3720
蒋迪:金属双面镜高性
1700
梁锋:GaN基大功率蓝
1170
刘建平:大功率氮化镓
3910