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刘红辉：光照下AlGaN/
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刘红辉：光照下AlGaN/
《光照下AlGaN/GaN异质结沟道中载流子的输运过程研究》柳月波，刘红辉，邢洁莹，姚婉青，戴雅琼，杨隆坤，王风格，任远，沈俊宇，张敏杰，作者：吴志盛，刘扬，张佰君单位：中山大学电子与信息工程学院
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limit2022-01-07 13:47
刘少煜：一种通过提高
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刘少煜：一种通过提高
《一种通过提高界面处sp2-碳含量改良4H-SiC欧姆接触的方法》作者：刘少煜，程新红，郑理，刘晓博，俞跃辉单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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limit2022-01-07 13:35
郑伟：4H-SiC、GaN和
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郑伟：4H-SiC、GaN和
《4H-SiC、GaN和-Ga2O3巴利加优值的巨量退化》作者：程璐，郑伟单位：中山大学材料学院，国家光电材料与技术国家重点实验室
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limit2022-01-07 13:32
李忠辉：新型Al(Ga)N/
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李忠辉：新型Al(Ga)N/
《新型Al(Ga)N/GaN异质结外延材料研究》作者：李忠辉，彭大青，张东国，李传皓，杨乾坤，罗伟科，董逊，李亮单位：南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成电路国家级重点实验室
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limit2022-01-07 11:15
李天义：SiC紫外单光
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李天义：SiC紫外单光
《SiC紫外单光子探测器及其成像阵列的器件物理与性能表征研究》作者：李天义，苏琳琳，周东，徐尉宗，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-07 10:26
刘兴华：基于牛眼结构
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刘兴华：基于牛眼结构
《基于牛眼结构微腔的碳化硅单光子发射》作者：刘兴华，刘泽森，任芳芳，徐尉宗，周东，叶建东，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学深圳研究院，南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-07 10:24
杨伟锋：碳化硅(4H-Si
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杨伟锋：碳化硅(4H-Si
《碳化硅(4H-SiC)紫外光电探测器研究现状》作者：杨伟锋，吴正云单位：厦门大学电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院）微电子与集成电路系，厦门大学物理科学与技术学院物理系
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limit2022-01-07 10:23
何云斌：ZnO多元合金
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何云斌：ZnO多元合金
《ZnO多元合金薄膜外延生长、带隙调控及其紫外光电探测器研究》作者：何云斌，黎明锴，卢寅梅，张腾，陈剑，刘洋，郭紫曼，汪洋单位：湖北大学材料科学与工程学院
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limit2022-01-07 10:19
陈敦军：高增益AlGaN
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陈敦军：高增益AlGaN
《高增益AlGaN基异质结紫外光电探测器及其能带的调控》作者：陈敦军，游海帆，王海萍，蔡青，陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-07 08:59
詹腾：金属氧化物/AlG
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詹腾：金属氧化物/AlG
《金属氧化物/AlGaN/GaN基多异质结深紫外光电探测器》作者：詹腾，孙剑文，伊晓燕，李晋闽单位：中国科学半导体研究所、清华大学
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limit2022-01-07 08:57
汪丹浩：基于宽禁带铝
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汪丹浩：基于宽禁带铝
《基于宽禁带铝镓氮纳米线的新型紫外光电化学光探测器研究进展》作者：汪丹浩，孙海定，龙世兵单位：中国科学技术大学微电子学院
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limit2022-01-07 08:55
路慧敏：基于智能算法
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路慧敏：基于智能算法
《基于智能算法的深紫外LED效率研究方法》作者：路慧敏，李子正，朱一帆，冯丽雅，于彤军，王建萍单位：北京科技大学计算机与通信工程学院，北京大学物理学院
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limit2022-01-07 08:51
蔡端俊：氢元素对深紫
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蔡端俊：氢元素对深紫
《氢元素对深紫外材料和器件的害处》作者：蔡端俊，卢诗强，钟志白，郭斌，陈小红，黄生荣，李书平，June Key Lee，康俊勇单位：厦门大学物理科学与技术学院
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limit2022-01-06 11:45
闫建昌：AlGaN基紫外L
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闫建昌：AlGaN基紫外L
《AlGaN基紫外LED材料和量子结构设计研究进展》作者：闫建昌，郭亚楠，刘志彬，王军喜，李晋闽单位：中国科学院半导体研究所，中国科学院大学
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limit2022-01-06 11:41
张涛：MOCVD异质外延G
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张涛：MOCVD异质外延G
《MOCVD异质外延Ga2O3薄膜及其相变的研究》作者：张涛，胡志国，程倩，冯倩，张雅超，张进成单位：西安电子科技大学微电子学院
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limit2022-01-06 11:39
李悦文：亚稳相正交结
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李悦文：亚稳相正交结
《亚稳相正交结构-Ga2O3薄膜的异质外延研究》作者：李悦文，修向前，许万里，施佳城，朱宇霞，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-06 11:09
金雷:PVT法AlN单晶生
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金雷:PVT法AlN单晶生
《PVT法AlN单晶生长机理研究》作者：金雷，武红磊，程红娟，覃佐燕单位：深圳大学，中国电子科技集团公司第四十六研究所
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limit2022-01-06 11:07
张纪才：半极性AlN材
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张纪才：半极性AlN材
《半极性AlN材料的HVPE生长研究》作者：张纪才，孙茂松，李旭，刘婷单位：北京化工大学数理学院，广西大学物理科学与工程技术学院
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limit2022-01-06 11:04
吴亮：PVT法同质外延
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吴亮：PVT法同质外延
《PVT法同质外延生长高质量2英寸Al极性AlN单晶研究》作者：李哲，张刚，雷丹，黄嘉丽，付丹扬，王琦琨，吴亮单位：奥趋光电技术（杭州）有限公司
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limit2022-01-06 11:02
余烨：面向长波长LED
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余烨：面向长波长LED
《面向长波长LED应用的石墨烯/SiC衬底上应变弛豫GaN薄膜的外延生长研究》作者：余烨，于佳琪，邓高强，张宝林，张源涛单位：吉林大学电子科学与工程学院
17500
limit2022-01-06 10:56