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徐现刚：碳化硅单晶衬
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徐现刚：碳化硅单晶衬
《碳化硅单晶衬底的研究进展及发展趋势》徐现刚教授山东大学
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limit2022-01-11 17:24
郝跃：宽禁带与超宽
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郝跃：宽禁带与超宽
宽禁带与超宽禁带半导体电子器件若干新进展郝跃院士西安电子科技大学
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limit2022-01-10 13:08
梅洋：GaN基VCSEL技术
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梅洋：GaN基VCSEL技术
《GaN基VCSEL技术进展》作者：梅洋，许荣彬，应磊莹，龙浩，郑志威，张保平单位：厦门大学电子科学与技术学院
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limit2022-01-10 10:40
陈鹏：GaN基肖特基功
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陈鹏：GaN基肖特基功
《GaN基肖特基功率器件研究新进展》作者：陈鹏单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-07 13:31
吴帆正树：碳化硅沟槽
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吴帆正树：碳化硅沟槽
《碳化硅沟槽刻蚀技术研究进展》作者：吴帆正树，张清纯，马宏平，张洁，侯欣蓝，张园览单位：复旦大学工程与应用技术研究院超越照明研究所
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limit2022-01-07 13:30
汪丹浩：基于宽禁带铝
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汪丹浩：基于宽禁带铝
《基于宽禁带铝镓氮纳米线的新型紫外光电化学光探测器研究进展》作者：汪丹浩，孙海定，龙世兵单位：中国科学技术大学微电子学院
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limit2022-01-07 08:55
闫建昌：AlGaN基紫外L
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闫建昌：AlGaN基紫外L
《AlGaN基紫外LED材料和量子结构设计研究进展》作者：闫建昌，郭亚楠，刘志彬，王军喜，李晋闽单位：中国科学院半导体研究所，中国科学院大学
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limit2022-01-06 11:41
梅洋：GaN基VCSEL技术
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梅洋：GaN基VCSEL技术
《GaN基VCSEL技术进展》作者：梅洋，郑重明，许荣彬，应磊莹，龙浩，郑志威，张保平单位：厦门大学微电子与集成电路系微纳光电子研究室
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limit2022-01-06 10:43
孙海定：AlGaN基紫外
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孙海定：AlGaN基紫外
《AlGaN基紫外发光和新型紫外光电化学光探测器研究进展》作者：孙海定，龙世兵单位：中国科学技术大学
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limit2022-01-06 10:30
朱广润：微波毫米波器
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朱广润：微波毫米波器
《GaN微波毫米波器件新进展》作者：张凯，朱广润，代鲲鹏，贾晨阳，房柏彤，李传浩，周浩，孙岩，吴立枢，程钰杰，王伟凡，李忠辉，陈堂胜单位：南京电子器件研究所，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
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limit2022-01-05 16:51
刘建平：大功率氮化镓
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刘建平：大功率氮化镓
《大功率氮化镓激光器研究进展》作者：刘建平单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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limit2022-01-05 15:57
孙钱：硅衬底GaN基激
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孙钱：硅衬底GaN基激
《硅衬底GaN基激光器研究进展》作者：冯美鑫，刘建勋，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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limit2022-01-05 15:36
赵德刚：GaN材料碳杂
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赵德刚：GaN材料碳杂
《GaN材料碳杂质行为与激光器研究进展》作者：赵德刚单位：中国科学院半导体研究所，中国科学院大学
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limit2022-01-05 15:33
龚政：氮化镓基Micro-
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龚政：氮化镓基Micro-
《氮化镓基Micro-LED巨量转移及红光芯片进展》作者：龚政单位：广东省科学院半导体研究所
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limit2022-01-05 13:22