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何云斌：ZnO多元合金
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何云斌：ZnO多元合金
《ZnO多元合金薄膜外延生长、带隙调控及其紫外光电探测器研究》作者：何云斌，黎明锴，卢寅梅，张腾，陈剑，刘洋，郭紫曼，汪洋单位：湖北大学材料科学与工程学院
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limit2022-01-07 10:19
汪丹浩：基于宽禁带铝
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汪丹浩：基于宽禁带铝
《基于宽禁带铝镓氮纳米线的新型紫外光电化学光探测器研究进展》作者：汪丹浩，孙海定，龙世兵单位：中国科学技术大学微电子学院
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limit2022-01-07 08:55
路慧敏：基于智能算法
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路慧敏：基于智能算法
《基于智能算法的深紫外LED效率研究方法》作者：路慧敏，李子正，朱一帆，冯丽雅，于彤军，王建萍单位：北京科技大学计算机与通信工程学院，北京大学物理学院
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limit2022-01-07 08:51
楚春双：基于III族氮
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楚春双：基于III族氮
《基于III族氮化物的深紫外光电转换器件的研究》作者：楚春双，张勇辉，高元斌，杭升，黄福平，张紫辉单位：河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室，河北工业大学电子信息工程学院
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limit2022-01-07 08:50
周玉刚：基于Ag、Mg金
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周玉刚：基于Ag、Mg金
《基于Ag、Mg金属的GaN低吸收欧姆接触研究与光电器件应用》作者：周玉刚，潘赛，郭焱，金楠，许朝军，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-06 11:46
闫建昌：AlGaN基紫外L
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闫建昌：AlGaN基紫外L
《AlGaN基紫外LED材料和量子结构设计研究进展》作者：闫建昌，郭亚楠，刘志彬，王军喜，李晋闽单位：中国科学院半导体研究所，中国科学院大学
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limit2022-01-06 11:41
张涛：MOCVD异质外延G
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张涛：MOCVD异质外延G
《MOCVD异质外延Ga2O3薄膜及其相变的研究》作者：张涛，胡志国，程倩，冯倩，张雅超，张进成单位：西安电子科技大学微电子学院
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limit2022-01-06 11:39
李悦文：亚稳相正交结
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李悦文：亚稳相正交结
《亚稳相正交结构-Ga2O3薄膜的异质外延研究》作者：李悦文，修向前，许万里，施佳城，朱宇霞，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-06 11:09
金雷:PVT法AlN单晶生
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金雷:PVT法AlN单晶生
《PVT法AlN单晶生长机理研究》作者：金雷，武红磊，程红娟，覃佐燕单位：深圳大学，中国电子科技集团公司第四十六研究所
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limit2022-01-06 11:07
张纪才：半极性AlN材
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张纪才：半极性AlN材
《半极性AlN材料的HVPE生长研究》作者：张纪才，孙茂松，李旭，刘婷单位：北京化工大学数理学院，广西大学物理科学与工程技术学院
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limit2022-01-06 11:04
吴亮：PVT法同质外延
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吴亮：PVT法同质外延
《PVT法同质外延生长高质量2英寸Al极性AlN单晶研究》作者：李哲，张刚，雷丹，黄嘉丽，付丹扬，王琦琨，吴亮单位：奥趋光电技术（杭州）有限公司
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limit2022-01-06 11:02
余烨：面向长波长LED
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余烨：面向长波长LED
《面向长波长LED应用的石墨烯/SiC衬底上应变弛豫GaN薄膜的外延生长研究》作者：余烨，于佳琪，邓高强，张宝林，张源涛单位：吉林大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-06 10:56
王新强：二维材料上氮
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王新强：二维材料上氮
《二维材料上氮化物半导体准范德华外延界面调控研究》作者：刘放，王涛，张智宏，申彤，杨怀远，盛博文，荣新，陈兆营，刘开辉，李新征，沈波，王新强单位：北京大学
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limit2022-01-06 10:48
蒋科：宽禁带氮化物半
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蒋科：宽禁带氮化物半
《宽禁带氮化物半导体紫外探测器研究》作者：蒋科，孙晓娟，郭龙，张山丽，陈雨轩，黎大兵单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，中国科学院大学材料科学与光电工程中心
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limit2022-01-06 10:45
王跃：半导体量子点微
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王跃：半导体量子点微
《半导体量子点微纳激光及其超快动力学研究》作者：王跃单位：南京理工大学材料学院
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limit2022-01-06 10:33
孙海定：AlGaN基紫外
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孙海定：AlGaN基紫外
《AlGaN基紫外发光和新型紫外光电化学光探测器研究进展》作者：孙海定，龙世兵单位：中国科学技术大学
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limit2022-01-06 10:30
王艳丰：大面积单晶金
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王艳丰：大面积单晶金
《大面积单晶金刚石及场效应晶体管研究》作者：王艳丰，王玮，常晓慧，张晓凡，朱天飞，刘璋成，陈根强，王宏兴单位：西安交通大学教育部物理电子器件重点实验室，西安交通大学电子与信息学部宽禁带半导体与量子器件研究所
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limit2022-01-06 10:24
王希玮：金刚石材料制
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王希玮：金刚石材料制
《金刚石材料制备加工和应用研究》作者：王希玮，彭燕，徐明升，胡小波，徐现刚单位：山东大学新一代半导体材料研究院
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limit2022-01-06 10:23
王蓉：半导体碳化硅材
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王蓉：半导体碳化硅材
《半导体碳化硅材料中位错的基本性质研究》作者王蓉，李佳君，罗昊，杨德仁，皮孝东单位：浙江大学杭州国际科创中心，浙江大学硅材料国家重点实验室和材料科学与工程学院
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limit2022-01-06 10:21
李万俊：超宽带隙氧化
2200
李万俊：超宽带隙氧化
《超宽带隙氧化镓材料及其日盲深紫外探测器研究》作者：李万俊，刘浩文，周树仁，黄利娟，胡郑蕊，张红，熊元强，李泓霖，叶利娟单位：重庆师范大学物理与电子工程学院，光电功能材料重庆市重点实验室
22000
limit2022-01-06 10:08