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徐现刚：碳化硅单晶衬
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徐现刚：碳化硅单晶衬
《碳化硅单晶衬底的研究进展及发展趋势》徐现刚教授山东大学
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limit2022-01-11 17:24
徐科：氮化镓单晶材料
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徐科：氮化镓单晶材料
《氮化镓单晶材料的 HVPE 法与液相法生长研究》徐科研究员中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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limit2022-01-11 09:59
蒋科：宽禁带氮化物半
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蒋科：宽禁带氮化物半
《宽禁带氮化物半导体紫外探测器研究》作者：蒋科，孙晓娟，郭龙，张山丽，陈雨轩，黎大兵单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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limit2022-01-10 11:08
朱海：宽禁带半导体微
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朱海：宽禁带半导体微
《宽禁带半导体微腔polariton玻色-爱因斯坦凝聚特性研究》作者：朱海，陈智阳，郑湖颖，汤梓荧，王亚琪单位：中山大学
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limit2022-01-10 10:21
陆文强：一维ZnGa2O4
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陆文强：一维ZnGa2O4
《一维ZnGa2O4纳米线网薄膜材料横向制备及其光电响应研究》作者：吴雨桐，张昆，冯双龙，陆文强单位：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
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limit2022-01-07 15:02
张文辉：升华法生长β
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张文辉：升华法生长β
《升华法生长相Ga2O3厚膜的研究》作者：张文辉，张赫之，梁红伟单位：大连理工大学微电子学院
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limit2022-01-07 15:00
陈凯：基于MPCVD法异
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陈凯：基于MPCVD法异
《基于MPCVD法异质外延生长金刚石膜的研究》作者：陈凯，胡文晓，叶煜聪，刘斌，陶涛，张荣单位：江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院，厦门大学
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limit2022-01-07 14:59
穆文祥：氧化镓单晶生
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穆文祥：氧化镓单晶生
《氧化镓单晶生长与性能研究》作者：贾志泰，穆文祥，陶绪堂单位：山东大学晶体材料国家重点实验室
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limit2022-01-07 14:58
汤潇：全溶液法沉积柔
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汤潇：全溶液法沉积柔
《全溶液法沉积柔性掺杂可调控氧化镓薄膜光电器件的研究》作者：汤潇，李晓航单位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
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limit2022-01-07 14:57
张逸韵：高温气氛退火
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张逸韵：高温气氛退火
《高温气氛退火对体材料单晶氧化镓晶体质量的研究》作者：武松浩，张逸韵单位：北京理工大学，中国科学院半导体研究所
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limit2022-01-07 14:21
唐宁：氮化镓量子阱中
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唐宁：氮化镓量子阱中
《氮化镓量子阱中电子自旋弛豫性质研究》作者：张仕雄，唐宁，刘星辰，张晓玥，付雷，张云帆，樊腾，孙真昊，葛惟昆，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
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limit2022-01-07 14:16
徐童龄：基于NiO/β-
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徐童龄：基于NiO/β-
《基于NiO/- Ga2O3异质pn结的低漏电JBS二极管研究》作者：徐童龄，罗浩勋，邓郁馨，陈梓敏，裴艳丽，卢星，王钢单位：中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室
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limit2022-01-07 13:50
张亚民：基于脉冲信号
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张亚民：基于脉冲信号
《基于脉冲信号导通延迟的SiC MOSFET结温检测方法研究》作者：姜山，张亚民，冯士维，石帮兵单位：北京工业大学
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limit2022-01-07 13:49
刘红辉：光照下AlGaN/
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刘红辉：光照下AlGaN/
《光照下AlGaN/GaN异质结沟道中载流子的输运过程研究》柳月波，刘红辉，邢洁莹，姚婉青，戴雅琼，杨隆坤，王风格，任远，沈俊宇，张敏杰，作者：吴志盛，刘扬，张佰君单位：中山大学电子与信息工程学院
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limit2022-01-07 13:47
陈鹏：GaN基肖特基功
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陈鹏：GaN基肖特基功
《GaN基肖特基功率器件研究新进展》作者：陈鹏单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-07 13:31
吴帆正树：碳化硅沟槽
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吴帆正树：碳化硅沟槽
《碳化硅沟槽刻蚀技术研究进展》作者：吴帆正树，张清纯，马宏平，张洁，侯欣蓝，张园览单位：复旦大学工程与应用技术研究院超越照明研究所
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limit2022-01-07 13:30
叶建东：氧化镓基双极
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叶建东：氧化镓基双极
《氧化镓基双极型异质结功率器件研究》作者：叶建东，巩贺贺，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顾书林，陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-07 11:41
李忠辉：新型Al(Ga)N/
2090
李忠辉：新型Al(Ga)N/
《新型Al(Ga)N/GaN异质结外延材料研究》作者：李忠辉，彭大青，张东国，李传皓，杨乾坤，罗伟科，董逊，李亮单位：南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成电路国家级重点实验室
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limit2022-01-07 11:15
李天义：SiC紫外单光
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李天义：SiC紫外单光
《SiC紫外单光子探测器及其成像阵列的器件物理与性能表征研究》作者：李天义，苏琳琳，周东，徐尉宗，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学电子科学与工程学院
15900
limit2022-01-07 10:26
杨伟锋：碳化硅(4H-Si
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杨伟锋：碳化硅(4H-Si
《碳化硅(4H-SiC)紫外光电探测器研究现状》作者：杨伟锋，吴正云单位：厦门大学电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院）微电子与集成电路系，厦门大学物理科学与技术学院物理系
33400
limit2022-01-07 10:23