宽禁带与超宽禁带半导体电子器件若干新进展 郝跃 院士 西安电子科技大学

《III族氮化物极性调控在光电子及电力电子器件中的新应用》作者：郭炜，陈荔，徐厚强，戴贻钧，林伟，康俊勇, 叶继春单位：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，厦门大学

《氮化镓量子阱中电子自旋弛豫性质研究》作者：张仕雄，唐宁，刘星辰，张晓玥，付雷，张云帆，樊腾，孙真昊，葛惟昆，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室

《超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件和光电探测器》作者：龙世兵，徐光伟，赵晓龙，孙海定单位：中国科学技术大学

《基于氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管的单片集成DFF-NAND与DFF-NOR电路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文辉清，刘雯单位：西交利物浦大学智能工程学院

《面向复杂电气应用环境的高可靠性GaN功率电子器件研究》作者：陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院