宽禁带与超宽禁带半导体电子器件若干新进展 郝跃 院士 西安电子科技大学

《III族氮化物极性调控在光电子及电力电子器件中的新应用》作者：郭炜，陈荔，徐厚强，戴贻钧，林伟，康俊勇, 叶继春单位：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，厦门大学

《超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件和光电探测器》作者：龙世兵，徐光伟，赵晓龙，孙海定单位：中国科学技术大学

《面向复杂电气应用环境的高可靠性GaN功率电子器件研究》作者：陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院