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黄火林：GaN基增强型H
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黄火林：GaN基增强型H
《GaN基增强型HEMT器件关键技术》作者：黄火林单位：大连理工大学光电工程与仪器科学学院
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limit2022-01-10 11:07
梅洋：GaN基VCSEL技术
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梅洋：GaN基VCSEL技术
《GaN基VCSEL技术进展》作者：梅洋，许荣彬，应磊莹，龙浩，郑志威，张保平单位：厦门大学电子科学与技术学院
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limit2022-01-10 10:40
吴挺竹：利用ALD技术
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吴挺竹：利用ALD技术
《利用ALD技术改善mini-LED的光电与通信性能》作者：卢霆威，赖寿强，潘建华，陈金兰，黄岳，叶方顺，郭浩中，陈忠，吴挺竹单位：厦门大学电子科学系，台湾阳明交通大学光电工程学系
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limit2022-01-10 10:28
吴帆正树：碳化硅沟槽
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吴帆正树：碳化硅沟槽
《碳化硅沟槽刻蚀技术研究进展》作者：吴帆正树，张清纯，马宏平，张洁，侯欣蓝，张园览单位：复旦大学工程与应用技术研究院超越照明研究所
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limit2022-01-07 13:30
梅洋：GaN基VCSEL技术
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梅洋：GaN基VCSEL技术
《GaN基VCSEL技术进展》作者：梅洋，郑重明，许荣彬，应磊莹，龙浩，郑志威，张保平单位：厦门大学微电子与集成电路系微纳光电子研究室
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limit2022-01-06 10:43
袁昊：万伏级4H-SiC基
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袁昊：万伏级4H-SiC基
《万伏级4H-SiC基IGBT器件设计与制备技术》作者：刘延聪，唐冠南，汤晓燕，袁昊，宋庆文，张玉明单位：西安电子科技大学，中国人民解放军空军工程大学
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limit2022-01-05 17:00
陈荔：基于高温热退火
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陈荔：基于高温热退火
《基于高温热退火技术的半极性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陈荔，郭炜，林伟，陈航洋，康俊勇，叶继春单位：中国科学院宁波
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limit2022-01-05 11:02