郭浩中:新型 Micro-L
3780
张荣:基于宽禁带半导
4050
俞冬雷:高效P型掺杂
1000
陈景文:高性能深紫外
1790
郭炜:III族氮化物极
1940
汪莱:宽禁带半导体异
1180
周玉刚:基于Ag、Mg金
1580
余烨:面向长波长LED
1710
吴雅苹:氮化物半导体
590
王希玮:金刚石材料制
1050
李强:hBN薄膜的磁控
860
王浩敏:厚层六角氮化
1680
陆海:面向复杂电气应
4440
马晓华:面向终端应用
2530
程凯:新型GaN外延结
2260
刘斌:量子点/氮化物
1890