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刘建勋:大
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刘建勋:大
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硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者:刘建勋,詹晓宁,孙秀建,黄应南,高宏伟,孙钱,杨辉单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
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2022-01-05 16:49
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