张荣：基于宽禁带半导
4060
郝跃： 宽禁带与超宽
4080
蒋科：宽禁带氮化物半
1120
朱海：宽禁带半导体微
910
汪莱：宽禁带半导体异
1180
屈媛：半导体核壳纳米
580
王新强：二维材料上氮
2730
王跃：半导体量子点微
1270
吴雅苹：氮化物半导体
590
王蓉：半导体碳化硅材
1150
龙世兵：超宽禁带氧化
3430
朱昱豪：基于氮化镓金
2660
汪洋：半导体用SiC涂
1650
皮孝东：半导体碳化硅
1510
江晓松：宽禁带半导体
1250
刘斌：量子点/氮化物
1890
黄丰：宽禁带半导体材
3640
黎大兵：AlN基宽禁带
4010
