氮化物的范德华外延：基底结构、多性能控制和紫外光电器件应用Van der Waals Epitaxy of Nitrides: Substrate Construction, Multi-Properties Control and Ultraviolet Optoelectronic Device Application孙晓娟中科院长春光机所研究员SUN XiaojuanProfessor of Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences

Ga2O3/GaN异质结构紫外光电探测器Ga2O3/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetectors黄凯厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授HUANG KaiProfessor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University

钙钛矿LED晶体结构稳定性的研究Research on Crystal Structure Stability of Perovskite Light Emitting Diodes谢跃民苏州大学功能纳米与软物质研究院副教授XIE YueminProfessor of Soochow University

南京大学电子科学与工程学院刘斌教授带来了《氮化镓微/纳米LED与量子点混合结构的高品质白光器件》研究报告。报告中提出了一种新型微纳米III族氮化物/II-VI族量子点混合结构LED。采用紫外软纳米压印和光刻技术，制备出晶圆面积的有序III族氮化物纳米孔和微米孔阵列，然后将II-VI族核/壳结构量子点填充至微/纳米孔中，形成量子点与量子阱侧壁紧密耦合结构。该结构利用量子阱与量子点偶极子间耦合增强物理效应，发光激子的复合寿命大

来自台湾交通大学佘庆威教授，他在《可实现全彩微显示的新型微结构LED》报告中表示，我们研究了一种新型微结构Nano-Ring (NR) LED，首先通过改变NRLED的环壁厚度，可以实现发光波长从480nm蓝光到535nm绿光的变化，接着在蓝光NRLED上喷涂红色量子点材料进行色彩转换，即可在同一材料上实现RGB全彩微显示。

为了使基于AlGaN材料的深紫外LED能够更广泛地应用于固化、水和空气的净化及医疗消毒等各方面，必须要大幅地降低其成本。提高深紫

厦门大学高娜带来了题为可原子尺度精确调控的AlN/GaN结构分选生长的主题报告，从晶体生长热力学角度出发，采用第一性原理模拟了

蓝宝石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱结构的激光二极管中n-p电极对于p型电导率的影响 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS郑州大学 Mussaab I. NIASSZhengzhou University

报告简介：基于深层瞬态光谱学的Al/Ti 4H-SiC肖特基结构缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亚伟 中国科学院半导体研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences