提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的银基镂空反射电极Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes周玉刚南京大学电子科学与工程学院教授ZHOU YugangProfesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

集成反射器的封装技术用于提升高功率UVC LED芯片的光提取效率Enhanced Light Extraction Efficiency of high power UVC LEDs by SMD-Packaging with Integrated Reflectors胡晓东德国MSG Lithoglas GmbH亚太地区总监HU XiaodongDirector of Asia Pacific Region of MSG Lithoglas GmbH, Germany

俄罗斯STR 集团有限公司Mark RAMM介绍了《塑造-LED芯片形成内部微反射器，提高出光效率的一种方式》主题报告。他表示，微型LED在极高电流密度下工作的光源，其器件自热、由俄歇复合引起的效率下降和表面复合成为限制器件性能的主要因素。特别是当器件尺寸减小时，表面复合导致-LED峰值效率向更高电流密度处偏移且数值降低。早期对-LED的研究主要集中在它们的电流调制特性上。直到最近，效率提高才成为-LED的研究热点。通常，-LED的