高透明度GaN基Micro-LED显示器High Transparency GaN-based Micro-LED Display余俊驰南京大学电子科学与工程学院YU JunchiSchool of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

InGaN基红色发光二极管：从传统LED到Micro-LEDInGaN-based red light-emitting diodes: from traditional to micro-LEDs庄喆南京大学苏州校区集成电路学院助理教授ZHUANG ZheAssistant Professor for School of Integrated Circuits in Nanjing University Suzhou Campus

提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的银基镂空反射电极Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes周玉刚南京大学电子科学与工程学院教授ZHOU YugangProfesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

基于多边形微腔的表面等离激元在LED中的发光增强效应Luminescence Enhancement Effect of Cavity Plasmonic based on Polygonal Microcavity in LED陈鹏南京大学教授CHEN PengProfessor of Nanjing University

第三代半导体紫外探测技术与产业化应用Wide Bandgap Semiconductor Ultraviolet Detection Technology and Industrial Application陆 海--南京大学教授，镓敏光电董事长LU Hai--Professor of Nanjing University, President of GaNo Optoelectronics Inc.

南京大学电子科学与工程学院刘斌教授带来了《氮化镓微/纳米LED与量子点混合结构的高品质白光器件》研究报告。报告中提出了一种新型微纳米III族氮化物/II-VI族量子点混合结构LED。采用紫外软纳米压印和光刻技术，制备出晶圆面积的有序III族氮化物纳米孔和微米孔阵列，然后将II-VI族核/壳结构量子点填充至微/纳米孔中，形成量子点与量子阱侧壁紧密耦合结构。该结构利用量子阱与量子点偶极子间耦合增强物理效应，发光激子的复合寿命大

深紫外(DUV)和极深紫外(EUV)探测器在光刻、天文监测以及国防预警等诸多领域具有非常广阔的应用前景。在适用于DUV和EUV探测的所有