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  • 日本京都大学教授Naok

    10580

    日本京都大学教授Naok
    太阳能卫星及相关波束无线电力传输技术的最新研发进展Recent RD of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer TechnologyNaoki SHINOHARA日本京都大学教授NaokiSHINOHARAProfessor of Kyoto University,Japan
    105800
    guansheng2023-05-22 15:27

  • 美国弗吉尼亚理工大学

    15340

    美国弗吉尼亚理工大学
    中高压（1-10 kV）氮化镓功率器件新进展New Progress in Medium and High Voltage (1-10 kV) GaN Power Devices张宇昊美国弗吉尼亚理工大学助理教授ZHANG Yuhao Assistant Professor, Virginia Tech University
    153400
    guansheng2023-05-22 15:01

  • 南瑞联研半导体碳化硅

    5070

    南瑞联研半导体碳化硅
    SiC MOS在新能源汽车充电桩中的技术进展及应用田亮南瑞联研半导体有限责任公司碳化硅产品线负责人TIAN Liang Leader of SiC Product for NARI-GEIRI semiconductor co.Ltd
    50700
    guansheng2023-05-22 14:37

  • 一径科技副总裁邵嘉平

    11480

    一径科技副总裁邵嘉平
    车载 MEMS 激光雷达解决方案及量产落地之最新进展The latest progress for automotive grade MEMS LiDAR mass production and application solutions邵嘉平北京一径科技有限公司副总裁SHAO JiapingVice President of ZVISION Technologies Co., Ltd
    114800
    guansheng2023-05-22 14:26

  • 鼎泰芯源晶体董事长赵

    9910

    鼎泰芯源晶体董事长赵
    高质量磷化铟和锑化镓衬底制备技术进展及批量生产Progress in Preparation Technology and Batch Production of High Quality InP and GaSb Substrates赵有文珠海鼎泰芯源晶体有限公司董事长ZHAO YouwenChairman of Zhuhai DT Wafer-Tech Co.,lTD
    99100
    guansheng2023-05-22 13:36

  • 升谱光电副总经理林胜

    8780

    升谱光电副总经理林胜
    GaAs VCSEL 先进封装技术进展及应用Progress of Advanced Packaging Techniques for GaAs-based VCSELs and Its Applications林胜宁波升谱光电股份有限公司副总经理LIN ShengDeputy General Manager of NINGBO SUNPU LED CO.,LTD.
    87800
    guansheng2023-05-22 10:10

  • 中国科学院苏州纳米所

    9340

    中国科学院苏州纳米所
    氮化镓基激光器和超辐射管研究进展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes刘建平中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件研究部 研究员LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences
    93400
    guansheng2023-05-22 10:07

  • 香港科技大学副教授黄

    8710

    香港科技大学副教授黄
    横向和纵向-Ga2O3功率MOSFET的十年进展A Decade of Advances in Lateral and Vertical -Ga2O3 Power MOSFETs黄文海香港科技大学副教授Man Hoi WONGAssociate Professor of The Hong Kong University of Science and Technology
    87100
    guansheng2023-05-19 14:45

  • 中国电科首席科学家冯

    15860

    中国电科首席科学家冯
    金刚石微波功率器件进展Progress in Diamond Microwave Power Devices冯志红中国电科首席科学家、中国电科13所研究员、专用集成电路国家级重点实验室常务副主任FENG ZhihongHebei Semiconductor Research lnstitute
    158600
    guansheng2023-05-19 14:37

  • 天马微电子秦锋：Micr

    21190

    天马微电子秦锋：Micr
    Micro-LED 显示产业化进展与挑战秦锋天马微电子集团研发中心总经理、Micro-LED研究院院长QIN FengGeneral Manager of the RD Center and President of Institute of Micro-LED, Tianma Microelectronics Co., Ltd.
    211900
    guansheng2023-05-19 09:53

  • 中国电子科技集团首席

    21480

    中国电子科技集团首席
    SiC功率MOSFET技术及应用进展柏松中国电子科技集团首席专家、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices
    214800
    guansheng2023-05-19 09:39

  • 锦浪科技技术研究中心

    12920

    锦浪科技技术研究中心
    SiC功率器件在光伏逆变器中的应用进展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters刘保颂锦浪科技技术研究中心总监LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd
    129200
    guansheng2023-05-19 09:07

  • 启迪半导体研发总监钮

    7260

    启迪半导体研发总监钮
    第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及发展进展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization钮应喜芜湖启迪半导体有限公司研发总监NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
    72600
    limit2022-05-01 17:19

  • 中电科四十八所半导体

    6580

    中电科四十八所半导体
    SiC功率器件制造工艺特点与核心装备创新进展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices巩小亮中国电子科技集团公司第四十八研究所 半导体装备研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
    65800
    limit2022-05-01 09:57

  • 复旦大学特聘教授张清

    6580

    复旦大学特聘教授张清
    SiC器件和模块的最新进展RecentAdvancesofSiCPowerDevices张清纯复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University
    65800
    limit2022-05-01 09:48

  • 【视频报告 2018】P.S

    24630

    【视频报告 2018】P.S
    高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶体生长过程。今天，SiC是通过气相或液相法生长的，它包括下列过程：反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告，报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
    246300
    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】港

    9010

    【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
    90100
    limit2021-04-29 12:06

  • 【视频报告 2018】电

    9770

    【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。
    97700
    limit2021-04-29 12:04

  • 【视频报告 2019】南

    17630

    【视频报告 2019】南
    南京大学教授陆海报告中介绍了宽禁带半导体紫外光电探测器及其应用进展。介绍了基于III族氮化物半导体和SiC的高性能UV光电探测器的材料生长，设计和制造方面的最新工作。
    176300
    limit2021-04-29 10:46

  • 三安集成陈东坡博士：

    14400

    三安集成陈东坡博士：
    化合物半导体是未来核心材料，市场逐步扩大，全球各大厂商都在布局化合物半导体产业链，在功率器件、射频器件，与终端消费电子领
    144000
    limit2020-03-31 12:35

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