4H-SiC MOSFET中界面碳团簇的形成和迁移率退化机理Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs张召富武汉大学工业科学研究院研究员ZHANG ZhaofuProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University

利用泵浦-探测瞬态反射显微技术测定立方砷化硼的高双极性迁移率High Ambipolar Mobility in Cubic Boron Arsenide（BAs）Revealed by Transient Reflectivity Microscopy刘新风国家纳米科学中心研究员,中科院纳米标准与检测重点实验室副主任LIU XinfengProfessor of National Nanoscience Center, Deputy director of the Key Laboratory of Standardizaiton and Characteriaziton of the Chinese Academy of Sciences

西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大