电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鹏山东大学新一代半导体材料研究院研究员CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University
Condura.ultraTM无银AMB氮化硅基板---车规级功率模块用高性价比解决方案Condura.ultraTM silver free AMB --- cost-effective solution for automotive power module张靖贺利氏电子中国区研发总监ZHANG JingDirector of Innovation China, Heraeus Electronics
电热应力下碳化硅功率MOSFET损伤的多尺度探测表征方法Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress刘斯扬东南大学教授LIU SiyangProfessor of Southeast University
碳化硅及氮化镓功率器件在数据中心AC-DC电源上的应用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨台达电子高阶客制电源事业部中国区总监Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics
第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及发展进展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization钮应喜芜湖启迪半导体有限公司研发总监NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
碳化硅芯片会在 2025-2030 年被电动汽车广泛采用的可能性探讨The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美国俄亥俄州立大学教授、IEEE会士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow
碳化硅大规模商业化：现状与障碍SiC Mass Commercialization: Present Status and BarriersVictor VELIADISChief Officer and CTO ofPower America, Professor of North Carolina State UniversityVictor VELIADIS美国电力首席执行官兼首席技术官、北卡罗莱纳州立大学教授
美国国家工程院院士、美国加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm 的联合创始人Umesh K. MISHRA的高足吴毅锋博士，分享了功率器件之争：宽禁带vs硅的发展动态。 吴毅锋表示宽禁带技术对于电力、能源节约具有非常重要的意义。我们需要继续发展功率元件，该领域的市场潜力非常大，对于功率器件而言，可靠性至关重要。结合目前的发展情况，对于硅、碳化硅和硅基氮化镓来说，硅基氮化镓能力性可能更强。硅是目前功率元件中最成功的，已经
