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  • 西安电子科技大学周弘

    13270

    西安电子科技大学周弘
    氧化镓功率器件耐压和功率优值的研究Research on Voltage Withstandand Power Optimum Value of Ga2O3 Power Devices张进成西安电子科技大学副校长、教授（团队代讲）
    132700
    guansheng2023-05-19 14:08

  • 上海科技大学信息学院

    11310

    上海科技大学信息学院
    基于氮化镓的CRM图腾柱PFC整流器的无传感器电流过零检测技术王浩宇上海科技大学信息学院长聘副教授、研究员WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University
    113100
    guansheng2023-05-19 09:09

  • 锦浪科技技术研究中心

    13060

    锦浪科技技术研究中心
    SiC功率器件在光伏逆变器中的应用进展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters刘保颂锦浪科技技术研究中心总监LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd
    130600
    guansheng2023-05-19 09:07

  • 江苏第三代半导体研究

    12950

    江苏第三代半导体研究
    高性能GaN-on-GaN材料与器件的外延生长High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王国斌江苏第三代半导体研究院研发部负责人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors
    129500
    guansheng2023-05-19 08:56

  • 武汉大学工业科学研究

    12120

    武汉大学工业科学研究
    无损表征氮化镓外延热物性的瞬态热反射技术Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武汉大学工业科学研究院研究员YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
    121200
    guansheng2023-05-19 08:53

  • 北京大学副教授许福军

    12190

    北京大学副教授许福军
    AlGaN基低维量子结构外延和电导率调控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures许福军北京大学物理学院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
    121900
    guansheng2023-05-19 08:51

  • 中国科学院半导体所研

    7090

    中国科学院半导体所研
    平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD赵德刚中国科学院半导体所研究员ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
    70900
    guansheng2023-05-18 16:19

  • 复旦大学张园览：基于

    6550

    复旦大学张园览：基于
    基于P区反序掺杂策略的高效碳化硅结势垒肖特基二极管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy张园览复旦大学Yuan-Lan ZHANGFudan University
    65500
    limit2022-05-01 20:24

  • 中科院微电子所副研究

    7200

    中科院微电子所副研究
    高可靠功率系统集成的发展和挑战Development and Challenge of High-Reliability Power System in Packaging侯峰泽中国科学院微电子研究所系统封装与集成研发中心副研究员Fengze HOUAssociate Professor、 Packaging and Integration Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences
    72000
    limit2022-05-01 20:22

  • 西安电子科技大学微电

    6740

    西安电子科技大学微电
    SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 张艺蒙西安电子科技大学微电子学院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
    67400
    limit2022-05-01 17:18

  • 中电科四十八所半导体

    6750

    中电科四十八所半导体
    SiC功率器件制造工艺特点与核心装备创新进展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices巩小亮中国电子科技集团公司第四十八研究所 半导体装备研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
    67500
    limit2022-05-01 09:57

  • 中国工程院院士汤广福

    9640

    中国工程院院士汤广福
    新型电力系统与国家双碳战略New Power System and NationalDual-Carbon Strategy汤广福--中国工程院院士、全球能源互联网研究院院长TANG Guangfu--Academician of Chinese Academy of Engineering, President of Global Energy Interconnection Research Institute
    96400
    limit2022-01-31 13:41

  • 【视频报告 2018】中

    12680

    【视频报告 2018】中
    中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵分享了《III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器》报告，受限于铌酸锂声速较低(3400-4000 m/s)，商用铌酸锂基声表面波（SAW）滤波器工作频率通常低于3 GHz，难以满足通讯系统频率不断提升的需求，因此基于高声速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高频SAW滤波器成为研究热点。分别在铌酸锂衬底和AlN/蓝宝石衬底上制备出叉指宽度为2 靘的SAW滤波器，铌酸锂SAW滤波器的中心频率为426.7 MHz，而AlN基SAW 滤
    126800
    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】河

    8440

    【视频报告 2018】河
    河北半导体研究所高级工程师的李静强分享了《GaN 内匹配封装器件仿真技术研究》主题报告。
    84400
    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】港

    9010

    【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
    90100
    limit2021-04-29 12:06

  • 【视频报告 2018】北

    6540

    【视频报告 2018】北
    垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上，北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践，分享了Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果，首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。
    65400
    limit2021-04-29 12:05

  • 【视频报告 2018】电

    9770

    【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。
    97700
    limit2021-04-29 12:04

  • 【极智课堂】芯谋研究

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    【极智课堂】芯谋研究
    芯谋研究总监李国强 《功率半导体的市场分析》
    33600
    limit2021-04-26 16:21

  • 【视频报告 2019】天

    16170

    【视频报告 2019】天
    报告嘉宾：北京天科合达半导体股份有限公司副总经理兼技术总监刘春俊博士 报告主题：《大尺寸碳化硅单晶生长研究及产业进展》
    161700
    limit2020-03-19 10:27

  • 芯谋研究总监李国强：

    21350

    芯谋研究总监李国强：
    芯谋研究总监李国强：功率半导体的市场分析
    213500
    limit2020-02-01 10:39

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