双阈值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于优化Ka波段高电场线性度的多指漏极板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鹏飞西安电子科技大学Wang PengfeiXidian University

用于先进SiC功率模块的整体解决（核心设备/材料/工程）方案Overall solution (core equipment/materials/engineering) for advanced SiC power module周鑫苏州博湃半导体技术有限公司市场销售总监ZHOU XinDirector of Sales Marketing, Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd.

用于高效能量转换应用的GaN HEMT的深能级效应和可靠性Deep level effects and reliability of GaN HEMTs for high efficiency energy conversion applicationsEnrico Zanoni意大利帕多瓦大学信息工程系教授Enrico ZanoniProfessor of Dipartimento di Ingegneria dellInformazioneUniversit di Padova

应用于垂直器件的高电导率GaN单晶衬底制HVPE Growth of Bulk GaN with High Conductivity for Vertical Devices王建峰苏州纳维科技有限公司总经理WANG JianfengGeneral Manager of Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd

用于极端环境电子产品的 SiC 集成电路SiC Integrated Circuit for Extreme Environment ElectronicsCarl-Mikael Zetterling--瑞典皇家理工学院教授Carl-Mikael Zetterling--Professor of Royal Institute of Technology (KTH), Sweden

日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平在《用于微波无线电能传输的氮化镓射频肖特基二极管》报告中介绍到：无线电能传输技术是非常有前景的新技术，可以用在各种各样的无线系统，比如无线充电、能量收割、无处不在的电源和建筑物内的电源供应等。在微波无线电能传输系统里，通常采用天线整流电路（rectenna）来完成RF到DC的能量转换。天线整流电路广泛地用到肖特基势垒二极管（SBD）。但是，目前市场上很难找到能在天

【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案

与功率MOS场效应晶体管相比，驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难，这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度，这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了

加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了《用于增强型GaN功率晶体管的智能门极驱动芯片》研究报告。吴伟东，多伦多大学电子与计算机工