• 中电科十三所基础研究
    使用MOCVD生长的QCL激光器Epitaxy of mid- infrared quantum cascade lasers fully by MOCVD房玉龙中电科十三所基础研究部主任FANG YulongHebei Semiconductor Institute
    127900
    guansheng2023-05-22 10:25
  • 思体尔软件副总经理付
    超宽禁带半导体氧化镓及金刚石的晶体生长模拟研究Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond付昊苏州思体尔软件科技有限公司副总经理Henry FUVice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd.
    87600
    guansheng2023-05-19 14:47
  • 山东大学副教授穆文祥
    -Ga2O3单晶的体晶生长与性能Bulk crystal growth and properties of?-Ga2O3Single Crystal穆文祥山东大学副教授MU WenxiangAssociate Professor of Shandong University
    93500
    guansheng2023-05-19 14:44
  • 大连理工大学副教授张
    利用高Al组分-(AlGa)2O3缓冲层在蓝宝石衬底上优化生长高质量-Ga2O3厚膜Growth of high quality - Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content - (AlGa)2O3 buffer layer张赫之大连理工大学副教授ZHANG HezhiAssociate professor of Dalian University of Technology
    127100
    guansheng2023-05-19 14:41
  • 西安电子科技大学张金
    MPCVD法金刚石同质外延生长及MOS器件技术Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology张金风西安电子科技大学教授ZHANG JinfengProfessor of Xidian University
    158600
    guansheng2023-05-19 14:40
  • 湖北大学何云斌教授:
    MgO(100)上生长柱状纳米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高灵敏度日盲探测器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大学教授HE YunbinProfessor of Hubei University
    113400
    guansheng2023-05-19 14:23
  • 江苏第三代半导体研究
    高性能GaN-on-GaN材料与器件的外延生长High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王国斌江苏第三代半导体研究院研发部负责人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors
    128700
    guansheng2023-05-19 08:56
  • 奥趋光电CTO王琦琨:P
    PVT法同质外延AlN生长和p型掺杂面临的挑战Challenges on homoepitaxial AlN growth and p-type doping by the PVT method王琦琨奥趋光电技术(杭州)有限公司研发总监(CTO)
    54300
    guansheng2023-05-19 08:43
  • 桑立雯:利用AlN传导
    利用AlN传导层在GaN衬底上外延生长金刚石薄膜及其热传输特性Thermal dissipation from GaN to diamond with AlN conduction layer桑立雯日本国立物质材料研究所独立研究员SANG LiwenIndependent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan
    64600
    guansheng2023-05-19 08:42
  • 中国科学院半导体所研
    平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD赵德刚中国科学院半导体所研究员ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
    70700
    guansheng2023-05-18 16:19
  • 【视频报告 2018】南
    【极智报告】南京大学陈琳:6英寸GaN衬底生长用HVPE反应腔的三维数值模拟
    135700
    limit2021-04-29 12:23
  • 【视频报告 2018】北
    垂直氮化镓器件,尤其是硅衬底上,因其低成本衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上,北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践,分享了Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果,首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。
    65400
    limit2021-04-29 12:05
  • 【视频报告 2019】天
    报告嘉宾:北京天科合达半导体股份有限公司副总经理兼技术总监刘春俊博士 报告主题:《大尺寸碳化硅单晶生长研究及产业进展》
    160400
    limit2020-03-19 10:27
  • 【视频报告】厦门大学
    报告简介单晶4H型碳化硅台阶生长机理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林伟厦门大学副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University
    226400
    limit2020-03-08 10:21
  • 【视频报告】郑州大学
    郑州大学教授刘玉怀做了题为氮化铝/蓝宝石模板上六方氮化硼薄膜的有机金属气相外延研究的报告,介绍了多层h-BN膜的表面和结晶度、微观结构和键合结构。h-BN在AlN上的生长模型等研究内容。研究成功证明了通过脉冲模式MOVPE在AlN模板上直接生长单晶多层h-BN,在AlN表面上形成连续和聚结的多层h-BN,提出了初始帽形核的生长模型,然后在AlN上进行h-BN的二维横向生长。
    210600
    limit2020-02-01 16:24
  • 日本国立佐贺大学电气
    日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新带来了题为超宽禁带氧化半导体的生长和特性的主题报告。郭其新主要从事半导体材料制备与表征,同步辐射光应用研究。报告中主要介绍了Ga2O3等宽禁带氧化半导体薄膜的生长和特性。通过对于In和Al元素的调整我们可以调整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能带宽度。研究制备了Ga2O3:Er/Si LED,其驱动电压稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同时,还研究了Eu掺杂的Ga2O3薄膜的
    121300
    limit2020-02-01 16:22
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