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【视频报告 2018】Mie
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【视频报告 2018】Mie
瑞典皇家工学院工程科学院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典视角分享了《WBG电力设备的现状和采用前景》，报告中介绍了由瑞典创新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅电力中心资助的选定工业和研究项目的概况和重点。示例展示了基于WBG的电力电子能量转换系统在各种应用中的节能方面的革命性进展。简要介绍了瑞典材料、技术和设备研发领域的相关项目。
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limit2021-04-29 12:26
【视频报告 2018】P.S
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【视频报告 2018】P.S
高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶体生长过程。今天，SiC是通过气相或液相法生长的，它包括下列过程：反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告，报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
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limit2021-04-29 12:25
【视频报告 2018】周
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【视频报告 2018】周
美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》；
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limit2021-04-29 12:25
【视频报告 2018】敖
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【视频报告 2018】敖
日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平在《用于微波无线电能传输的氮化镓射频肖特基二极管》报告中介绍到：无线电能传输技术是非常有前景的新技术，可以用在各种各样的无线系统，比如无线充电、能量收割、无处不在的电源和建筑物内的电源供应等。在微波无线电能传输系统里，通常采用天线整流电路（rectenna）来完成RF到DC的能量转换。天线整流电路广泛地用到肖特基势垒二极管（SBD）。但是，目前市场上很难找到能在天
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limit2021-04-29 12:21
【视频报告 2018】台
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【视频报告 2018】台
【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
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limit2021-04-29 12:20
【视频报告 2018】日
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【视频报告 2018】日
日本名城大学副教授Motoaki IWAYA 带来了关于基于AlGaN 激光的发展现状的报告。
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limit2021-04-29 12:06
【视频报告 2018】港
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【视频报告 2018】港
集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
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limit2021-04-29 12:06
【视频报告 2018】加
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【视频报告 2018】加
与功率MOS场效应晶体管相比，驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难，这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度，这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了
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limit2021-04-29 12:05
【视频报告 2018】电
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【视频报告 2018】电
电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。
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limit2021-04-29 12:04
【视频报告 2019】河
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【视频报告 2019】河
河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种
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limit2021-04-29 10:46
【视频报告 2019】南
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【视频报告 2019】南
南京大学教授陆海报告中介绍了宽禁带半导体紫外光电探测器及其应用进展。介绍了基于III族氮化物半导体和SiC的高性能UV光电探测器的材料生长，设计和制造方面的最新工作。
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limit2021-04-29 10:46
【视频报告】厦门大学
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【视频报告】厦门大学
报告简介单晶4H型碳化硅台阶生长机理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林伟厦门大学副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University
224500
limit2020-03-08 10:21
【视频】西安交通大学
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【视频】西安交通大学
西安交通大学副教授李强做了题为射频溅射技术制备h-BN薄膜的制作与应用的主题报告，分享了溅射制备的hBN膜,包括工艺条件的选择，hBN的性质，以及hBN膜的应用，包括电阻开关行为等内容。报告指出，所制备的hBN膜可以在大面积上获得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜组成的DBR可以在UVA波段实现高反射。首先在Ag / hBN / Al结构中观察到通过溅射制备的hBN膜的RS行为。掺铝氮化硼薄膜的RS窗口明显增加。
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limit2020-02-01 16:25
【视频报告】郑州大学
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【视频报告】郑州大学
郑州大学教授刘玉怀做了题为氮化铝/蓝宝石模板上六方氮化硼薄膜的有机金属气相外延研究的报告，介绍了多层h-BN膜的表面和结晶度、微观结构和键合结构。h-BN在AlN上的生长模型等研究内容。研究成功证明了通过脉冲模式MOVPE在AlN模板上直接生长单晶多层h-BN，在AlN表面上形成连续和聚结的多层h-BN，提出了初始帽形核的生长模型，然后在AlN上进行h-BN的二维横向生长。
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limit2020-02-01 16:24
【极智课堂】西安电子
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【极智课堂】西安电子
西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺
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limit2020-02-01 16:23
日本国立佐贺大学电气
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日本国立佐贺大学电气
日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新带来了题为超宽禁带氧化半导体的生长和特性的主题报告。郭其新主要从事半导体材料制备与表征，同步辐射光应用研究。报告中主要介绍了Ga2O3等宽禁带氧化半导体薄膜的生长和特性。通过对于In和Al元素的调整我们可以调整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能带宽度。研究制备了Ga2O3:Er/Si LED，其驱动电压稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同时，还研究了Eu掺杂的Ga2O3薄膜的
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limit2020-02-01 16:22
加拿大多伦多大学教授
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加拿大多伦多大学教授
加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了《用于增强型GaN功率晶体管的智能门极驱动芯片》研究报告。吴伟东，多伦多大学电子与计算机工
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limit2020-01-28 12:45
荷兰代尔夫特理工大学
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荷兰代尔夫特理工大学
荷兰代尔夫特理工大学教授Braham FERREIRA带来了题为宽禁带功率半导体国际技术路线图的精彩报告，介绍了宽禁带功率半导体国际技
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limit2019-12-31 12:41
瑞典隆德大学教授Lars
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瑞典隆德大学教授Lars
瑞典隆德大学教授、瑞典皇家科学院院士、Glo AB创始人Lars SAMUELSON带来了题为针对MicroLED和自形成光子结构的纳米线应用的精彩
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limit2019-12-31 12:40
日本德岛大学教授敖金
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日本德岛大学教授敖金
日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。敖金平博士1989年毕
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limit2019-12-29 13:00