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  • 武汉大学工业科学研究

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    武汉大学工业科学研究
    无损表征氮化镓外延热物性的瞬态热反射技术Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武汉大学工业科学研究院研究员YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
    121200
    guansheng2023-05-19 08:53

  • 南京大学教授修向前：

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    南京大学教授修向前：
    基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN衬底技术The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大学教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university
    78800
    guansheng2023-05-18 16:18

  • 爱思强方子文：促进宽

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    爱思强方子文：促进宽
    促进宽禁带半导体产业化的关键外延技术The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors方子文德国爱思强股份有限公司中国区副总经理FANG ZiwenDeputy General Manage，China AIXTRON SE
    59400
    limit2022-05-01 17:25

  • 启迪半导体研发总监钮

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    启迪半导体研发总监钮
    第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及发展进展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization钮应喜芜湖启迪半导体有限公司研发总监NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
    72600
    limit2022-05-01 17:19

  • 大连理工大学教授王德

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    大连理工大学教授王德
    SiC MOS器件氧化后退火新途径低温再氧化退火技术A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大连理工大学教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology
    69700
    limit2022-05-01 10:00

  • 视频报告 2017 |西安

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    视频报告 2017 |西安
    极智报告|西安特锐德智能充电科技有限公司总工程师王利强 ：电动汽车充电技术发展及SiC应用。更多专业学术报告，请点击页面顶端下载极智头条APP，海量报告，免费看！
    122300
    limit2021-04-29 12:39

  • 视频报告 2017-- 英

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    视频报告 2017-- 英
    英国IQE plc.集团副总裁兼电力事业部门负责Wayne JOHNSON 带来了先进技术的分享，作为半导体晶圆产品和经营服务供应商，IQE的光电产品主要包括VCSEL、边射型激光器、发光二极管(LED)、超高亮度发光二极管 (UHB LED)等，今年更是因为苹果VCSEL激光器
    122400
    limit2021-04-29 12:38

  • 视频报告 2018--美国

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    视频报告 2018--美国
    2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙
    216300
    limit2021-04-29 12:37

  • 【视频报告 2018】P.S

    24630

    【视频报告 2018】P.S
    高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶体生长过程。今天，SiC是通过气相或液相法生长的，它包括下列过程：反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告，报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】西

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    【视频报告 2018】西
    西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大
    131700
    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】河

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    【视频报告 2018】河
    河北半导体研究所高级工程师的李静强分享了《GaN 内匹配封装器件仿真技术研究》主题报告。
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    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】港

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    【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
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    limit2021-04-29 12:06

  • 【视频报告 2018】电

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    【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:04

  • 【视频报告 2019】Ism

    7670

    【视频报告 2019】Ism
    视频简介：下一代半导体器件外延制备前期的衬底清理技术 In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA
    76700
    limit2021-04-29 10:23

  • 【视频报告 2019】天

    16040

    【视频报告 2019】天
    报告嘉宾：北京天科合达半导体股份有限公司副总经理兼技术总监刘春俊博士 报告主题：《大尺寸碳化硅单晶生长研究及产业进展》
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    limit2020-03-19 10:27

  • 瑞士MicrodiamantChri

    21110

    瑞士MicrodiamantChri
    瑞士Microdiamant研发部门负责人Christian JENTGENS带来了题为多晶金刚石微纳米粉在SiC晶片加工中的应用及其关键工艺技术的主题报告，报告表示，碳化硅业务的主要目标是提高效率，并介绍了SiC晶圆加工的个性化解决方案，从厂商角度分享了碳化硅晶圆最重要的特征，如何判断产品品质优劣以及关键的流程步骤等内容。
    211100
    limit2020-02-01 16:23

  • 中国科学技术大学龙世

    13170

    中国科学技术大学龙世
    131700
    limit2020-02-01 10:50

  • 美国NAURA-Akrion, In

    21220

    美国NAURA-Akrion, In
    美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先进化学浓度控制技术的研究成果。在传统的MEMS制备中，相对惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蚀停止或者制备衬底中的掩膜。然而这种材料需要了解刻蚀对于衬底的选择性。对于过去的20年，研究发现碳化硅（SiC）因为其化学性质比较惰性已经可以作为传统批量微加工刻蚀停止的替代物。包括燃料雾化器，压力传感器和微型模具等MEMS应用中可以使用典型
    212200
    limit2019-12-31 13:02

  • 荷兰代尔夫特理工大学

    59260

    荷兰代尔夫特理工大学
    荷兰代尔夫特理工大学教授Braham FERREIRA带来了题为宽禁带功率半导体国际技术路线图的精彩报告，介绍了宽禁带功率半导体国际技
    592600
    limit2019-12-31 12:41

  • 英诺赛科研发中心副总

    22280

    英诺赛科研发中心副总
    英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统》研究报告
    222800
    limit2019-12-30 13:03

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