GaN半导体垂直腔面激光器的仿真设计与分析Simulation Design and Analysis of GaN Semiconductor Vertical Cavity Surface Laser张紫辉河北工业大学教授ZHANG ZihuiProfessor of Hebei University of Technology

无损表征氮化镓外延热物性的瞬态热反射技术Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武汉大学工业科学研究院研究员YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University

河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种

报告简介工业4.0：对于电子工业和产品的大好时机 INDUSTRY4.0 as A Major Opportunity for Electronics Processes and Products Guido COLOMBO意大利ORCHESTRA总裁 Guido COLOMBOPresidentCEO of ORCHESTRA, Italy

苏州锴威特半导体股份有限公司董事长丁国华分享： 《自主创芯 助力中国工业4.0》暨SiC功率半导体产品发布！