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  • 中国科学院半导体所研

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    中国科学院半导体所研
    平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD赵德刚中国科学院半导体所研究员ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
    70600
    guansheng2023-05-18 16:19

  • 爱思强方子文：促进宽

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    爱思强方子文：促进宽
    促进宽禁带半导体产业化的关键外延技术The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors方子文德国爱思强股份有限公司中国区副总经理FANG ZiwenDeputy General Manage，China AIXTRON SE
    59400
    limit2022-05-01 17:25

  • 启迪半导体研发总监钮

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    启迪半导体研发总监钮
    第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及发展进展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization钮应喜芜湖启迪半导体有限公司研发总监NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
    72600
    limit2022-05-01 17:19

  • 北方华创王显刚：化合

    5740

    北方华创王显刚：化合
    化合物半导体工艺设备解决方案 Equipment and Processes Solutions in Compound Semiconductor王显刚北京北方华创微电子装备有限公司LED及化合物半导体行业发展部总经理WANGXiangangGeneral Manager ofLED and Compound Semiconductor Developmentdepartment, Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,ltd.
    57400
    limit2022-05-01 17:17

  • 中电科四十八所半导体

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    中电科四十八所半导体
    SiC功率器件制造工艺特点与核心装备创新进展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices巩小亮中国电子科技集团公司第四十八研究所 半导体装备研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
    65800
    limit2022-05-01 09:57

  • 厦门大学张荣教授：Ⅲ

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    厦门大学张荣教授：Ⅲ
    Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题张荣--厦门大学校长、教授
    98500
    limit2022-01-31 13:44

  • 博世汽车电子中国区总

    7960

    博世汽车电子中国区总
    宽禁带半导体，助力推动绿色出行和碳中和WBG, Way to Boost Green Mobility and Carbon NeutralityGeorges Andary--博世苏州汽车部件总经理，博世汽车电子中国区总裁Georges Andary--GM of Bosch Automotive Products (Suzhou) Co., Ltd., Regional President of Bosch Automotive Electronics China
    79600
    limit2022-01-31 13:37

  • 【视频报告 2018】基

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    【视频报告 2018】基
    深圳基本半导体有限公司副总经理张振中介绍了《高性能 3D SiC JBS 二极管》主题报告；张振中对各种类型的碳化硅器件，包括高压PiN二极管、高温JBS二极管、SBD管、平面及沟槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二极管、MESFET都有从版图设计引入到量产工艺开发直到后期失效分析及良率提升等一系列的工艺技术IP和产业化经验。
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    limit2021-04-29 12:26

  • 【视频报告 2018】中

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    【视频报告 2018】中
    中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵分享了《III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器》报告，受限于铌酸锂声速较低(3400-4000 m/s)，商用铌酸锂基声表面波（SAW）滤波器工作频率通常低于3 GHz，难以满足通讯系统频率不断提升的需求，因此基于高声速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高频SAW滤波器成为研究热点。分别在铌酸锂衬底和AlN/蓝宝石衬底上制备出叉指宽度为2 靘的SAW滤波器，铌酸锂SAW滤波器的中心频率为426.7 MHz，而AlN基SAW 滤
    126800
    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】河

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    【视频报告 2018】河
    河北半导体研究所高级工程师的李静强分享了《GaN 内匹配封装器件仿真技术研究》主题报告。
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    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】中

    7760

    【视频报告 2018】中
    中科院半导体所张翔带来了关于石墨烯提升氮化铝核化以及高质量氮化铝薄膜外延层的报告，分享了该领域的研究动态以及研究成果。
    77600
    limit2021-04-29 12:04

  • 【视频报告 2019】河

    12480

    【视频报告 2019】河
    河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种
    124800
    limit2021-04-29 10:46

  • 【视频报告 2019】南

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    【视频报告 2019】南
    南京大学教授陆海报告中介绍了宽禁带半导体紫外光电探测器及其应用进展。介绍了基于III族氮化物半导体和SiC的高性能UV光电探测器的材料生长，设计和制造方面的最新工作。
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    limit2021-04-29 10:46

  • 【视频报告 2019】Ism

    7670

    【视频报告 2019】Ism
    视频简介：下一代半导体器件外延制备前期的衬底清理技术 In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA
    76700
    limit2021-04-29 10:23

  • 【极智课堂】芯谋研究

    3320

    【极智课堂】芯谋研究
    芯谋研究总监李国强 《功率半导体的市场分析》
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    limit2021-04-26 16:21

  • 国际第三代半导体产业

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    国际第三代半导体产业
    论坛将邀请来自产业链领先企业的专家就各自领域的技术现状、应用趋势与挑战进行了精彩解析，并在论坛中进行《2020新基建风口下第
    116300
    limit2020-08-27 13:54

  • 三安集成陈东坡博士：

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    三安集成陈东坡博士：
    化合物半导体是未来核心材料，市场逐步扩大，全球各大厂商都在布局化合物半导体产业链，在功率器件、射频器件，与终端消费电子领
    144000
    limit2020-03-31 12:35

  • 【极智课堂】西安电子

    14320

    【极智课堂】西安电子
    西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺
    143200
    limit2020-02-01 16:23

  • 日本国立佐贺大学电气

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    日本国立佐贺大学电气
    日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新带来了题为超宽禁带氧化半导体的生长和特性的主题报告。郭其新主要从事半导体材料制备与表征，同步辐射光应用研究。报告中主要介绍了Ga2O3等宽禁带氧化半导体薄膜的生长和特性。通过对于In和Al元素的调整我们可以调整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能带宽度。研究制备了Ga2O3:Er/Si LED，其驱动电压稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同时，还研究了Eu掺杂的Ga2O3薄膜的
    121300
    limit2020-02-01 16:22

  • 中国科学技术大学龙世

    13170

    中国科学技术大学龙世
    131700
    limit2020-02-01 10:50

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