异质集成氮化镓功率模块的量产制造工艺研究A Fabrication Process for Heterogeneous Integrated GaN Power Modules王文博甬江实验室研究员WANG WenboProfessor of Yongjiang Laboratory (Y-Lab)

SiC功率器件制造装备技术及发展趋势Technology and development trends of SiC power devices manufacturing equipment巩小亮中国电子科技集团公司第四十八研究所、半导体装备研究部主任Xiaoliang GONGDirector of Semiconductor equipment research department, The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

GaN/SiC功率器件在航天电源的应用前景Application prospect of GaN/SiC power devices in aerospace power supply万成安北京卫星制造厂有限公司领域总师WAN Chengan Field Chief Engineer of Beijing Satellite Manufacturing Factory Co., Ltd

SiC功率器件制造工艺特点与核心装备创新进展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices巩小亮中国电子科技集团公司第四十八研究所 半导体装备研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先进化学浓度控制技术的研究成果。在传统的MEMS制备中，相对惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蚀停止或者制备衬底中的掩膜。然而这种材料需要了解刻蚀对于衬底的选择性。对于过去的20年，研究发现碳化硅（SiC）因为其化学性质比较惰性已经可以作为传统批量微加工刻蚀停止的替代物。包括燃料雾化器，压力传感器和微型模具等MEMS应用中可以使用典型

2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。 本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市