日本NTT基础研究实验室负责人谷保芳孝:氮化铝基半导体材料及器件的最新进展

视频IFWS > IFWS20242025-01-10 11:58
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氮化铝基半导体材料及器件的最新进展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基础研究实验室负责人、资深杰出研究员Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation
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