深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华:超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究

视频IFWS > IFWS20242025-03-12 10:48
570播放 · 0评论未经作者授权,禁止转载
1515
稿件投诉
超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN张道华深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore
展开更多
分享知识,共同成长。把复杂的事情掰扯明白!
相关推荐
联系客服 投诉反馈  顶部