中科院苏州纳米所助理研究员钟耀宗：功率HEMT的p-GaN栅极可靠性及其加固方法

视频IFWS > IFWS20222024-10-31 16:30
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功率HEMT的p-GaN栅极可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs钟耀宗中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所助理研究员ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
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