武汉大学研究员张召富：4H-SiC MOSFET中界面碳团簇的形成和迁移率退化机理

视频IFWS > IFWS20222024-11-14 18:00
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4H-SiC MOSFET中界面碳团簇的形成和迁移率退化机理Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs张召富武汉大学工业科学研究院研究员ZHANG ZhaofuProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
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