Tibor GRASSER教授：Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETs

视频IFWS > IFWS20222024-11-09 02:13

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Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETsTibor GRASSER奥地利维也纳工业大学微电子研究所所长、教授Tibor GRASSERProfessor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universit?t Wien, Austria

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