中电科13所高楠：MOCVD生长高质量6英寸SiC上GaN HEMT材料

视频MOCVD20222024-11-12 18:56
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MOCVD生长高质量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龙*，尹甲运，张志荣，王波，李佳，芦伟立，陈宏泰，牛晨亮中国电子科技集团公司第十三研究所
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