徐童龄：基于NiO/β- Ga2O3异质pn结的低漏电JBS二极管研究

视频WBSC 20212024-11-12 17:03
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《基于NiO/- Ga2O3异质pn结的低漏电JBS二极管研究》作者：徐童龄，罗浩勋，邓郁馨，陈梓敏，裴艳丽，卢星，王钢单位：中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室
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