刘少煜：一种通过提高界面处sp2-碳含量改良4H-SiC欧姆接触的方法

视频WBSC 20212024-09-10 16:44
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《一种通过提高界面处sp2-碳含量改良4H-SiC欧姆接触的方法》作者：刘少煜，程新红，郑理，刘晓博，俞跃辉单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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