王蓉：半导体碳化硅材料中位错的基本性质研究

视频WBSC 20212024-11-09 15:51
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《半导体碳化硅材料中位错的基本性质研究》作者王蓉，李佳君，罗昊，杨德仁，皮孝东单位：浙江大学杭州国际科创中心，浙江大学硅材料国家重点实验室和材料科学与工程学院
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