袁昊：万伏级4H-SiC基IGBT器件设计与 制备技术

视频WBSC 20212024-03-13 20:20
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《万伏级4H-SiC基IGBT器件设计与制备技术》作者：刘延聪，唐冠南，汤晓燕，袁昊，宋庆文，张玉明单位：西安电子科技大学，中国人民解放军空军工程大学
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