极智报告|爱思强电力电子器件副总裁Frank WISCHMEYER：High Growth Rate SiC Homoepitaxial Processes In A Large Capacity P

德国爱思强股份有限公司电力电子器件副总裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生产率的碳化硅同质外延的程序在大容量生产反应器当中的表现主题报告。他表示，用于高产量生产的高增长率SiC同质外延工艺生长的大容量生产反应器，它是在于每小时二十五微米，更好地，更快速地长外延材料，那么也是在生产领域对于生产厂家来说是一个好事，那么同时它这个结果在之间出的效果，尤其是在一千二百伏元器件体现出来。预计2018年这种全面的自动化技术的使用，会使得我们整个产业会有大量的一个客户量的增长。