专题严选
拥抱新变化 聚焦国产化

2021功率半导体与车用LED技术创新应用论坛

 4月21日,在NEPCON China 2021(第三十届中国国际电子生产设备暨微电子工业展览会)期间,由半导体产业网和励展博览集团共同主办的“2021功率半导体与车用LED技术创新应用论坛”在上海世博展览馆成功举办,论坛得到第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)的指导,以及爱发科商贸(上海)有限公司、吉永商事株式会社、天津赛米卡尔科技有限公司、南京集芯光电技术研究院有限公司的大力支持。

综合报道

2021功率半导体与车用LED技术创新应用论坛在上海成功召开

2021功率半导体与车用LED技术创新应用论坛在上海世博展览馆成功举办,论坛得到第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)的指导,以及爱发科商贸(上海)有限公司、吉永商事株式会社、天津赛米卡尔科技有限公司、南京集芯光电技术研究院有限公司的大力支持。

专家观点

CASA秘书长于坤山:功率半导体器件技术发展现状与前景展望

 第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山分享了“功率半导体器件技术发展现状与前景展望”的主题报告,详细分享了功率半导体器件应用、技术发展现状与趋势。他表示,功率半导体已处于技术和产业发展的最佳时机,其在半导体产业中的份额将不断增长,当前需要集中优势资源,突破技术和产业化瓶颈,加速实现产业化,功率半导体材料和器件技术还在不断的进步和发展,新材料、新工艺、新器件将不断涌现。第三代半导体材料和器件,在电力变换与控制方面展现出优异的性能,将极大促进功率半导体技术和产业跨入新的、更高阶段。

芯聚能半导体周晓阳:碳化硅功率模块在新能源汽车中的应用

 广东芯聚能半导体有限公司总裁周晓阳带来了“碳化硅功率模块在新能源汽车中的应用”的主题报告,分享了最新发展趋势,相关封装设计优化思路及工艺挑战等。

一径科技邵嘉平:激光雷达与自动驾驶最新发展

 北京一径科技有限公司全球营销副总裁邵嘉平做了“激光雷达与自动驾驶最新发展”的主题分享。其中,报告认为自动驾驶货车商业模式清晰,有望超预期落地,无人驾驶出租车将在2025年前后达到成本拐点,AVP可率先实现高级别自动驾驶在城市场景的落地,无人末端配送有望快速落地封闭小区,企业园区等场景,带来成本和效率的优化,矿区自动驾驶是需求刚性,高确定性的落地场景。自动驾驶用雷达也将有看得远、看得广、看得准等新的要求。

南京集芯光电雷建明:氮化镓功率开关器件及其在超轻薄开关电源领域的应用研究

 南京集芯光电技术研究院有限公司技术总监雷建明做了题为“氮化镓功率开关器件及其在超轻薄开关电源领域的应用研究”的主题报告,从器件、驱动、控制、拓扑电路等方面全方位提出解决方案,在实现超轻薄目标的基础上,进一步提升产品的效率和工作可靠性。

德国贺利氏张靖:针对碳化硅功率模块的先进封装解决方案

 德国贺利氏电子中国区研发总监张靖带来了“针对碳化硅功率模块的先进封装解决方案”的主题报告,详细分享了一套针对碳化硅功率器件的完整封装解决方案。

宁波升谱尹辉:新能源车用LED封装技术趋势

 以LED车用照明、智能感测、健康智能照明、三代半UVC四大核心业务,坚持光科技,塑造健康智能新生活为使命的宁波升谱光电股份有限公司的副总经理尹辉出席论坛,并分享了“新能源车用LED封装技术趋势”的主题分享。

吉永商事陈海龙:量产型SiC功率器件背面工艺技术提案

 吉永商事株式会社社长陈海龙带来了“量产型SiC功率器件背面工艺技术提案”,详细分享了具有实践意义的背面减薄技术提案与激光退火技术提案。

中电南方国基集团李士颜:功率碳化硅MOSFET芯片及模块研究进展及应用

 中电南方国基集团有限公司高级工程师李士颜带来了“功率碳化硅 MOSFET芯片及模块研究进展及应用”的主题报告,他表示,国际上SiC功率器件市场化应用速度提升,在电动汽车、电源、轨道交通等领域的应用将进入爆发期,市场产值将急剧扩张,国内SiC功率器件迅速布局,技术进步迅速,自主芯片国产替代前景广阔。大尺寸SiC衬底、SiCMOSFET技术成熟度仍需提高,SiCMOSFET器件应用技术提升是SiC市场的重要牵引。

ULVAC李茂林:碳化硅功率器件制造中ULVAC的量产技术

 爱发科商贸(上海)有限公司市场总监李茂林做了题为“碳化硅功率器件制造中ULVAC的量产技术”的主题报告,分享了SiC功率器件制造过程中的ULVAC设备和技术整体解决方案,详细说明了高温离子注入技术、碳膜溅射技术及高温退火技术是不同于硅基器件的特殊工艺制程。

晶湛半导体陈宇超:应用于功率器件的GaN外延片进展

 苏州晶湛半导体科技有限公司的市场经理陈宇超带来了“应用于功率器件的硅基GaN外延片进展”的主题报告,结合具体的数据分享了650V应用的D模和E模硅基GaN外延片的进展,并介绍了面向更高电压/电流应用的多通道器件研究进展。