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华润微:汽车电子市场广阔,功率龙头欲发力第三代半导体
华润微
汽车电子
功率龙头
第三代半导体
台积电董事长刘德音:第三代半导体市场很小
台积电
董事长
刘德音
第三代半导体
2021年最后一批新股 第三代半导体材料企业天岳先进启动申购
2021年
最后一批
新股
第三代半导体
材料
企业
天岳先进
启动
申购
中科院半导体所荧光型LED的OOK调制速率突破1Gbps
新洁能:MOSFET领军,发力IGBT与第三代半导体
聚灿光电与中科院半导体所开发高性能高光功率氮化物
国星光电:公司第三代半导体新产品GaN-DFN器件可应用于新能源汽车充电、手机快充等
国星光电
第三代半导体
新产品
GaN-DFN器件
新能源汽车
充电
手机快充
小米公布第三款自研芯片澎湃P1,兼顾120W快充+大电池
小米
第三款
自研芯片
澎湃P1
120W快充
大电池
重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片
重庆邮电大学
成功研发
第三代
半导体
功率芯片
浙大发布两款超导量子芯片 关键指标实现新突破
比亚迪高功率汽车芯片生产已通线
建广扩容A股朋友圈遇挫 热门碳化硅标的借壳空港股份上市告吹
感测组件厂光磊改名台亚半导体,宣布进军第三代半导体
芯三代获超亿元融资,聚焦第三代半导体SiC-CVD装备
北京大学物理学院教授于彤军:大尺寸AlN单晶的同质PVT生长研究
深圳大学物理与光电工程学院副院长武红磊:氮化铝晶体PVT生长装置及技术研究
奥趋光电王琦琨博士:PVT法生长高质量大尺寸AlN单晶的最新进展与挑战
中科院苏州纳米研究所司志伟:助熔剂法氮化镓微碟不同极性面的光学性能
日本产业技术综合研究所沈旭强:无氨高温 MOCVD 生长的高质量极性和半极性氮化铝
中科院半导体研究所张逸韵:玻璃衬底氮化物异构外延
中镓半导体刘强:2英寸低位错密度高电导率和半绝缘氮化镓自支撑衬底的生长
河北半导体研究所高楠:国产4英寸GaN衬底上MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料
中科院宁波材料技术与工程研究所陈荔:基于蓝宝石衬底的半极性面AlN外延及高温热处理研究
最新关注 氮化物半导体衬底与外延技术进展
硅晶圆大厂激进扩产第三代半导体 群雄争抢下一代电动车“入场门票”
日本首相顾问呼吁:未来10年应向半导体行业投入880亿美元
瑞芯微发布系列车载电子解决方案
基于氮化镓业务发展的考虑 赛微电子(300456.SZ)拟转让聚能国际24.5%股权
氮化镓
业务发展
赛微电子
聚能国际
天岳先进在科创板招股书注册稿生效,2021年第三季度利润有所下滑
中科钢研高纯碳化硅粉和智能高端装备制造项目开工
第
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页/共
498
页
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