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比亚迪明年有自己的SiC产线，车规级IGBT已到5代
 评论 ⋅  2020-12-24 17:40
许继电气、平高电气​或划归中国西电集团
 评论 ⋅  2020-12-24 17:18
宏微科技科创板IPO获受理，拟募资5.58亿元
 评论 ⋅  2020-12-24 16:59
日本丰田汽车公司Kimimori HAMADA：超窄体（UNB）MOSFET和接地窄而深p（GND）MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑战性结构
 评论 ⋅  2020-12-23 15:28
沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学Iman S. ROQAN：原位无位错多晶GaN层在宽范围衬底上生长高效率的无催化剂GaN纳米线
 评论 ⋅  2020-12-23 15:27
澳大利亚格里菲斯大学Jisheng HAN：4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征
 评论 ⋅  2020-12-23 15:25
日本名古屋大学宇治原徹：CFD模拟预测系统在SiC生长中的应用
 评论 ⋅  2020-12-23 15:22
IGBT龙头斯达半导拟投资2.29亿元布局碳化硅赛道
 评论 ⋅  2020-12-23 11:56
科技部部长王志刚：完善科技创新体制机制
 评论 ⋅  2020-12-23 10:58
南大光电自主研发第一只国产ArF光刻胶通过验证
 评论 ⋅  2020-12-18 12:27
中电科55所李士颜博士：碳化硅功率MOSFET研究进展
 评论 ⋅  2020-12-17 17:54
深圳第三代半导体研究院杨安丽：抑制4H-SiC功率器件双极型退化的“复合提高层”设计
 评论 ⋅  2020-12-17 17:49
华北电力大学李学宝：高压SiC器件中的封装绝缘问题研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:44
重庆大学曾正:碳化硅功率模块的先进封装测试技术
 评论 ⋅  2020-12-17 17:39
浙江大学任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性问题的研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:27
厦门大学邱宇峰教授：碳化硅功率半导体器件在电力系统中的应用
 评论 ⋅  2020-12-17 17:17
中山大学黎城朗：凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-16 18:30
英诺赛科谢文元：八英寸硅基氮化镓产业化进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:26
电子科技大学教授周琦：基于超薄势垒AlGaN/GaN异质结与混合阳极二极管技术的功率整流器与微波混频器
 评论 ⋅  2020-12-16 18:23
中国空间技术研究院北京卫星制造厂郑岩：宽禁带功率器件的宇航应用技术
 评论 ⋅  2020-12-16 18:20
北京大学尹瑞苑：氮化镓MIS结构界面相关陷阱态：物性、表征及模型
 评论 ⋅  2020-12-16 18:17
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇：硅基GaN增强型HEMT电力电子器件
 评论 ⋅  2020-12-16 18:13
南方科技大学于洪宇：Si基GaN功率器件及其上电源系统的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:05
照明工程行业上市公司名家汇拟布局功率半导体产业
 评论 ⋅  2020-12-16 16:31
中国信通院：未来2-3年我国5G发展仍处有利时机，但面临诸多挑战
 评论 ⋅  2020-12-16 16:23
Cree与Tek将于12月23日联合直播，宽禁带半导体SiC器件发展及在OBC应用
 评论 ⋅  2020-12-16 14:40
中国电科十三所王元刚：高性能Ga2O3，SBD功率器件研究
 评论 ⋅  2020-12-15 16:08
山东大学张雷：温度梯度对PVT法生长AlN晶体的影响
 评论 ⋅  2020-12-15 16:06
郑州大学刘玉怀：金刚石衬底上六方相氮化硼薄膜的有机金属气相外延
 评论 ⋅  2020-12-15 16:01
​东芝和富士电机将投资20亿美元发展功率器件
 评论 ⋅  2020-12-15 12:49
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