首页 > 新闻资讯 > 搜索
德智新材半导体用SiC部件材料研发制造基地项目落户惠山经开区
 评论 ⋅  2024-08-30 17:13
扬杰科技：IGBT和SiC产品有序推进中
 评论 ⋅  2024-08-29 10:52
三安光电：上半年营业收入76.79亿元，SiC营收5.12亿元
 评论 ⋅  2024-08-29 08:05
《Applied Physics Letters》发表西电大马晓华教授研究组科研成果
 评论 ⋅  2024-08-28 14:32
半导体用SiC部件材料研发制造基地项目落户惠山经开区
 评论 ⋅  2024-08-28 14:31
总投资约10亿元，半导体用SiC部件材料研发制造基地项目签约落地
 评论 ⋅  2024-08-28 13:46
国星光电上半年营收净利润双增 SiC-SBD产品已获AEC-Q101车规级认证
 评论 ⋅  2024-08-28 13:43
芯华睿半导体车规级碳化硅及硅基功率模块（IGBT/SiC）项目量产
 评论 ⋅  2024-08-26 20:05
起底国产SiC：内卷、降本、困局
 评论 ⋅  2024-08-16 10:21
CASA立项SiC MOSFET动态/稳态高温工作寿命试验方法2项团体标准
 评论 ⋅  2024-08-08 16:21
英飞凌全球最大SiC芯片厂启动生产
 评论 ⋅  2024-08-08 10:23
中国SiC芯片价格将下降30%
 评论 ⋅  2024-08-05 10:12
韩国化学材料公司Nano CMS宣布，公司新碳化硅（SiC）材料加工厂已竣工，并于本月开始全面运营。
 评论 ⋅  2024-08-05 10:12
约2.6亿！东海炭素拟建SiC晶圆
 评论 ⋅  2024-08-05 09:38
标准 | 赛迈科牵头2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见
 评论 ⋅  2024-08-02 16:54
标准| SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-08-02 16:51
派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-07-31 10:05
标准 | 赛迈科牵头2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见
 评论 ⋅  2024-07-26 11:03
全球SiC和GaN功率半导体市场2034年将增至110.8亿美元
 评论 ⋅  2024-07-25 16:36
湖南三安：全面加速8吋SiC产业布局！设备正式搬入！
 评论 ⋅  2024-07-25 14:39
SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-07-22 13:51
瞻芯电子七周年庆：创新驱动，碳化硅(SiC)技术改变未来
 评论 ⋅  2024-07-19 11:42
扬杰科技申请降低栅极电容的 SiCMOSFET 及制备方法专利，降低 SiCMOSFET 栅极电容
 评论 ⋅  2024-07-18 16:20
某单位SiC第三批货物便捷询价采购项目便捷询价公告
 评论 ⋅  2024-07-16 11:03
通用半导体：SiC晶锭激光剥离全球首片最薄(130um)晶圆片下线
 评论 ⋅  2024-07-12 22:08
江苏通用半导体成功实现剥离出130um厚度超薄SiC晶圆片
 评论 ⋅  2024-07-12 17:36
青禾晶元获超3亿元融资，新建40万片8英寸SiC键合衬底产线
 评论 ⋅  2024-07-11 19:13
CASAS SiC功率器件与模块工作组第二次会议成功召开
 评论 ⋅  2024-07-11 17:29
CASICON上海站|专家齐聚 共议加速产业链“降本增效”
 评论 ⋅  2024-07-09 14:30
CASICON上海站| 第三代半导体技术与产业链创新发展论坛上海召开
 评论 ⋅  2024-07-08 13:26
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部