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突破SiC生长关键核心材料 解决关键材料“进口”依赖
 评论 ⋅  2022-11-01 15:24
华微电子：积极布局以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体器件技术
 评论 ⋅  2022-10-28 15:57
东莞证券：SiC有望成为最具前景的半导体材料之一
 评论 ⋅  2022-10-27 19:05
士兰微：士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线，首个SiC器件芯片已投片成功
 评论 ⋅  2022-10-25 16:46
沟槽型SiC MOSFET 工艺流程及SiC离子注入
 评论 ⋅  2022-10-25 16:44
问卷 | SiC MOSFET开关测试标准预研问卷
 评论 ⋅  2022-10-24 18:09
士兰微：士兰明镓SiC产线已初步通线，首个SiC器件芯片已投片成功
 评论 ⋅  2022-10-24 09:04
SiC MOSFET特性分析及应用
 评论 ⋅  2022-10-12 17:55
国际首台基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模块的35kV/5MW电力电子变压器顺利通过全部型式试验
 评论 ⋅  2022-10-11 17:39
清纯半导体SiC MOSFET获得AEC-Q101车规认证并通过HV-H3TRB加严可靠性考核
 评论 ⋅  2022-10-09 17:22
意法半导体获7.3亿欧元投资在意大利建新SiC制造厂
 评论 ⋅  2022-10-09 10:04
新品 | 世纪金光推出第二代1200V SiC MOSFET器件
 评论 ⋅  2022-09-30 17:52
蓉矽半导体NovuSiC® MOSFET正式发布！
 评论 ⋅  2022-09-28 15:40
机构：SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆发拐点
 评论 ⋅  2022-09-22 09:37
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学晶体材料4HSiC衬底8英寸
 评论 ⋅  2022-09-21 08:45
罗姆SiC功率半导体产能将增加6倍
 评论 ⋅  2022-09-20 14:57
SK Siltron 计划成立合资公司开发 SiC和GaN芯片
 评论 ⋅  2022-09-14 10:07
一种基于基板埋入技术的新型SiC功率模块封装及可靠性优化设计方法
 评论 ⋅  2022-09-02 09:52
氮化镓功率芯片厂商纳微半导体收购SiC公司GeneSiC 加速在电动汽车等领域扩张
 评论 ⋅  2022-09-01 15:28
东芝推出第3代SiC MOSFET 面向更高效工业设备
 评论 ⋅  2022-08-31 11:03
民德电子表示晶睿电子已着手准备SiC外延片生产
 评论 ⋅  2022-08-30 17:36
芯塔电子推出新一代SiC MOSFET，性能达到国际一流水平
 评论 ⋅  2022-08-26 18:42
一种基于基板埋入技术的SiC功率模块封装及可靠性优化设计
 评论 ⋅  2022-08-26 14:20
SiC或将迎“增速最快”三年！衬底大厂释放积极信号 撑起板块涨停潮
 评论 ⋅  2022-08-25 17:51
清纯半导体推出车用SiC MOSFET产品，通过车企和Tier1厂商测试
 评论 ⋅  2022-08-22 21:24
安森美：持续投资SiC技术
 评论 ⋅  2022-08-05 11:32
东芝：第三代 SiC MOSFET计划 8 月下旬开始量产
 评论 ⋅  2022-08-04 16:17
闻泰科技：公司在第三代化合物半导体方面布局了GaN与SiC
 评论 ⋅  2022-08-01 11:24
瞻芯电子六英寸碳化硅(SiC) 芯片车规级工厂投片 一期设计产能30万片
 评论 ⋅  2022-07-27 19:07
广汽埃安超高性能SiC电驱成功下线，功率密度国内领先
 评论 ⋅  2022-07-26 19:21
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