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华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构专利，降低功率器件制造成本
 评论 ⋅  2024-08-05 17:20
标准| SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-08-02 16:51
华润微：目前产能利用率满载，已对部分MOSFET、IGBT等产品加价
 评论 ⋅  2024-07-31 17:17
派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-07-31 10:05
SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-07-22 13:51
扬杰科技申请降低栅极电容的 SiCMOSFET 及制备方法专利，降低 SiCMOSFET 栅极电容
 评论 ⋅  2024-07-18 16:20
芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-07-11 17:27
芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-07-08 13:24
银河微电申请SiCMOSFET板级封装优化设计方法专利，设计效率高
 评论 ⋅  2024-07-04 10:43
瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产
 评论 ⋅  2024-06-25 16:13
纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度
 评论 ⋅  2024-06-11 17:17
昕感科技推出兼容15V栅压驱动的1200V/13mΩ低导通电阻SiC MOSFET
 评论 ⋅  2024-05-10 16:37
CSPSD 2024成都前瞻|西安电子科技大学何艳静：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究
 评论 ⋅  2024-04-22 11:54
CSPSD 2024成都前瞻|中国科学院上海微系统与信息技术研究所程新红：SiC MOSFET 过流保护技术分析与研发
 评论 ⋅  2024-04-18 13:37
纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET
 评论 ⋅  2024-04-17 15:39
CSPSD 2024成都前瞻 |东南大学魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究
 评论 ⋅  2024-04-16 15:24
CSPSD 2024成都前瞻 |重庆大学蒋华平：碳化硅MOSFET动态阈值漂移
 评论 ⋅  2024-04-16 15:16
CSPSD 2024成都前瞻|北京大学魏进：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一样简单易用？
 评论 ⋅  2024-04-15 16:35
芯联集成：2024年公司还将计划建成国内首条8英寸SiC MOSFET试验线
 评论 ⋅  2024-03-28 17:32
广电计量申请SiCMOSFET体二极管双极退化试验方法及装置专利，提高了老化效率，加速了双极退化
 评论 ⋅  2024-03-28 12:01
宏微科技取得电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构专利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小
 评论 ⋅  2024-03-25 15:00
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统
 评论 ⋅  2024-03-11 18:05
瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品
 评论 ⋅  2024-03-11 13:36
国基南方、55所：加速碳化硅MOSFET技术攻关，打造汽车电子中国“芯”
 评论 ⋅  2024-02-29 15:10
芯导科技申请TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法专利，进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸
 评论 ⋅  2024-02-28 17:32
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利，能够降低器件的沟道电阻
 评论 ⋅  2024-02-06 14:15
淄博绿能芯创1200V 20mΩ SiC MOSFET首轮流片成功
 评论 ⋅  2024-02-04 21:19
清纯半导体推出1200V / 3.5mΩ SiC MOSFET芯片
 评论 ⋅  2024-02-01 10:35
CASA立项11项SiC MOSFET测试类团体标准
 评论 ⋅  2024-01-26 15:12
SiC晶圆代工龙头X-Fab宣布：收购MOSFET厂商M-MOS Semiconductor
SiC晶圆X-Fab收购MOSFETM-MOSSemiconductor
 评论 ⋅  2024-01-04 16:41
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