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应用
华羿微电申请高性能
MOSFET
功率器件外延设计结构专利,降低功率器件制造成本
标准| SiC
MOSFET
阈值电压等9项技术标准形成征求意见稿
华润微:目前产能利用率满载,已对部分
MOSFET
、IGBT等产品加价
派恩杰“集成ESD的SiC功率
MOSFET
器件及制备方法”专利获授权
SiC
MOSFET
阈值电压等9项技术标准形成征求意见稿
扬杰科技申请降低栅极电容的 SiC
MOSFET
及制备方法专利,降低 SiC
MOSFET
栅极电容
芯聚能“碳化硅
MOSFET
器件及其制备方法”专利公布
芯聚能“碳化硅
MOSFET
器件及其制备方法”专利公布
银河微电申请SiC
MOSFET
板级封装优化设计方法专利,设计效率高
瞻芯电子第三代1200V SiC
MOSFET
工艺平台正式量产
纳微发布第三代快速碳化硅
MOSFET
s, 促进AI数据中心功率提升,加快电动汽车充电速度
昕感科技推出兼容15V栅压驱动的1200V/13mΩ低导通电阻SiC
MOSFET
CSPSD 2024成都前瞻|西安电子科技大学何艳静:SiC
MOSFET
浪涌可靠性的研究
CSPSD 2024成都前瞻|中国科学院上海微系统与信息技术研究所程新红:SiC
MOSFET
过流保护技术分析与研发
纳芯微发布首款1200V SiC
MOSFET
CSPSD 2024成都前瞻 |东南大学魏家行:碳化硅功率
MOSFET
器件及其可靠性研究
CSPSD 2024成都前瞻 |重庆大学蒋华平:碳化硅
MOSFET
动态阈值漂移
CSPSD 2024成都前瞻|北京大学魏进:如何使GaN功率器件如Si
MOSFET
一样简单易用?
芯联集成:2024年公司还将计划建成国内首条8英寸SiC
MOSFET
试验线
广电计量申请SiC
MOSFET
体二极管双极退化试验方法及装置专利,提高了老化效率,加速了双极退化
宏微科技取得电动汽车用IGBT或
MOSFET
版图结构专利,IGBT或
MOSFET
的芯片尺寸可大大减小
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™
MOSFET
G2,推动低碳化的高性能系统
瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC
MOSFET
产品
国基南方、55所:加速碳化硅
MOSFET
技术攻关,打造汽车电子中国“芯”
芯导科技申请Trench
MOSFET
器件的自对准的制备方法专利,进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸
北京大学申请碳化硅平面栅
MOSFET
器件及其制备方法专利,能够降低器件的沟道电阻
淄博绿能芯创1200V 20mΩ SiC
MOSFET
首轮流片成功
清纯半导体推出1200V / 3.5mΩ SiC
MOSFET
芯片
CASA立项11项SiC
MOSFET
测试类团体标准
SiC晶圆代工龙头X-Fab宣布:收购
MOSFET
厂商M-MOS Semiconductor
SiC
晶圆
X-Fab
收购
MOSFET
M-MOS
Semiconductor
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