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CSPSD 2024成都前瞻|大连理工大学王德君：SiC半导体表界面缺陷及MOS器件可靠性
 评论 ⋅  2024-04-18 13:47
大连理工大学王德君教授：SiC MOS器件氧化后退火新途径--低温再氧化退火技术
大连理工大学王德君教授SiCMOS器件氧化后退火低温再氧化退火技术
 评论 ⋅  2021-12-10 09:28
澳大利亚格里菲斯大学Jisheng HAN：4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征
 评论 ⋅  2020-12-23 15:25
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