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苏州纳米所孙钱团队在硅衬底GaN基纵向功率器件方面取得新进展
 评论 ⋅  2021-11-05 17:25
闻泰科技：安世半导体推出领先性能的氮化镓功率器件 (GaN FET)
 评论 ⋅  2021-11-05 17:24
GaN快充将于2025年占领一半市场
 评论 ⋅  2021-11-04 14:28
晶湛半导体8寸GaN项目开建
 评论 ⋅  2021-11-03 15:42
第三代半导体为什么这样火？4 张图秒懂GaN、SiC 关键技术
 评论 ⋅  2021-10-29 19:38
西电郝跃院士团队成功突破柔性高性能GaN半导体外延材料与器件制备技术
 评论 ⋅  2021-10-29 11:57
预估2025年GaN于快充市场渗透率将达到52％
 评论 ⋅  2021-10-26 17:04
千呼万唤始出来的苹果GaN快充，拉开下一个GaN爆点的序幕
 评论 ⋅  2021-10-21 13:44
华微电子：公司正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术
 评论 ⋅  2021-10-20 15:58
苹果上架首款GaN充电器，售价729元
 评论 ⋅  2021-10-20 15:11
英诺赛科邹艳波：All-GaN系列方案在快充领域的应用
 评论 ⋅  2021-10-11 15:29
【CASICON 2021】苏州能讯高能半导体Amagad Ali Hasan：基于物理的5G射频GaN晶体管模型、趋势和挑战
 评论 ⋅  2021-09-18 17:55
【CASICON 2021】南京大学徐尉宗：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-18 14:00
【CASICON 2021】苏州晶湛半导体向鹏：用于新型GaN功率器件的外延技术进展
 评论 ⋅  2021-09-17 16:39
【CASICON 2021】南京邮电大学张珺：基于人工神经网络的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技术
 评论 ⋅  2021-09-16 14:54
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在过压开关中的鲁棒性
 评论 ⋅  2021-09-16 11:56
【CASICON 2021】北京大学杨学林：Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
 评论 ⋅  2021-09-16 11:46
【CASICON 2021】西交利物浦大学刘雯：硅基GaN MIS-HEMT单片集成技术
 评论 ⋅  2021-09-16 11:29
【CASICON 2021】青岛聚能创芯刘海丰：面向快充应用的GaN材料和器件技术
 评论 ⋅  2021-09-15 16:50
【CASICON 2021】南京大学陈鹏：低开启/超高压GaN肖特基功率器件研究新进展
 评论 ⋅  2021-09-15 15:48
【CASICON 2021】中科院上海微系统研究所郑理：SOI基GaN材料及功率器件集成技术
 评论 ⋅  2021-09-15 15:18
闻泰科技：加强在中高压Mosfet、化合物半导体产品SiC和GaN产品、以及模拟类产品的研发投入
 评论 ⋅  2021-09-14 16:46
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊：超过SiC限制的 1.2-10 kV GaN功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 10:40
【CASICON 2021】Crosslight创始人李湛明：将GaN功率器件推向极限——材料和TCAD视角
 评论 ⋅  2021-09-14 10:02
【CASICON 2021】中国电科首席科学家陈堂胜：低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 09:51
【CASICON 2021】南京工业职业技术大学雷建明：GaN功率开关器件及其高频电源应用
 评论 ⋅  2021-09-14 09:42
GaN功率器件未来5-6年的发展趋势
 评论 ⋅  2021-09-13 14:06
CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-10 10:21
国产SiC & GaN功率器件已达国际一流水平，组建欧洲销售团队“出海"
 评论 ⋅  2021-09-09 10:26
CASICON 2021前瞻：将GaN功率器件推向极限——材料和TCAD视角
 评论 ⋅  2021-09-08 10:45
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