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中微公司MOCVD项目签约南昌，专注GaAs基红黄光LED应用
 评论 ⋅  2024-09-09 21:00
半导体所等在砷化镓（GaAs）中产生自旋极化研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-07-22 11:42
中科院物理所在集成有亚波长光栅的台面型InGaAs基短波红外偏振探测器取得进展
 评论 ⋅  2022-11-29 09:29
中国科大​InGaAs单光子探测芯片设计制造领域重要进展
 评论 ⋅  2022-05-30 10:27
InGaAs单光子探测芯片设计制造领域重要进展
 评论 ⋅  2022-05-25 09:42
【CASICON 2021】唐晶量子龚平：6 inch GaAs基VCSEL和射频外延技术
 评论 ⋅  2021-09-16 14:32
CASICON 2021前瞻：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射频外延技术
西安唐晶量子科技有龚平6inchGaAs基VCSEL射频外延技术
 评论 ⋅  2021-09-12 10:15
北京航天微电芯片孵化产业园开工，将建GaN/GaAs射频芯片研制线
 评论 ⋅  2021-08-30 16:50
军民融合+进口替代正当时——世界领先的GaAs和GaN混合集成微波功率放大器量产
 评论 ⋅  2020-06-24 16:25
苏州英诺迅推出基于InGaP /GaAs HBT工艺面向Wi-Fi 6E的线性功率放大器芯片
 评论 ⋅  2020-06-12 15:50
台湾交通大学激光60周年系列专文：介绍GaAs及GaN VCSEL
台湾交通大学激光60周年GaAsGaNVCSEL
 评论 ⋅  2020-05-19 13:17
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