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【CASICON 2021】奥趋光电吴亮：AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望
 评论 ⋅  2021-09-17 15:58
【CASICON 2021】中电科五十五所刘强：碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展
 评论 ⋅  2021-09-17 15:28
【CASICON 2021】南京邮电大学张珺：基于人工神经网络的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技术
 评论 ⋅  2021-09-16 14:54
【CASICON 2021】厦门大学梅洋：氮化镓基VCSEL技术进展
 评论 ⋅  2021-09-16 14:44
【CASICON 2021】唐晶量子龚平：6 inch GaAs基VCSEL和射频外延技术
 评论 ⋅  2021-09-16 14:32
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在过压开关中的鲁棒性
 评论 ⋅  2021-09-16 11:56
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊：氧化镓功率器件制备与封装技术
 评论 ⋅  2021-09-16 11:53
【CASICON 2021】北京大学杨学林：Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
 评论 ⋅  2021-09-16 11:46
【CASICON 2021】南砂晶圆彭燕：碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究
 评论 ⋅  2021-09-16 11:32
【CASICON 2021】西交利物浦大学刘雯：硅基GaN MIS-HEMT单片集成技术
 评论 ⋅  2021-09-16 11:29
【CASICON 2021】南京航空航天大学张之梁：1kV宽禁带LLC变换器控制与应用
 评论 ⋅  2021-09-16 11:17
CASICON 2021：2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会最新看点
CASICON2021南京功率射频半导体技术市场应用峰会第三代半导体氮化镓碳化硅
 评论 ⋅  2021-09-15 18:04
【CASICON 2021】青岛聚能创芯刘海丰：面向快充应用的GaN材料和器件技术
 评论 ⋅  2021-09-15 16:50
【CASICON 2021】爱发科左超：量产高性能功率与射频器件的 ULVAC装备技术
 评论 ⋅  2021-09-15 15:59
【CASICON 2021】南京大学叶建东：氧化镓双极型异质结功率器件研究
 评论 ⋅  2021-09-15 15:48
【CASICON 2021】南京大学陈鹏：低开启/超高压GaN肖特基功率器件研究新进展
 评论 ⋅  2021-09-15 15:48
【CASICON 2021】电子科技大学邓小川：极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究
 评论 ⋅  2021-09-15 15:20
【CASICON 2021】中科院上海微系统研究所郑理：SOI基GaN材料及功率器件集成技术
 评论 ⋅  2021-09-15 15:18
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊：超过SiC限制的 1.2-10 kV GaN功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 10:40
【CASICON 2021】第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山：中国功率与射频技术市场现状及未来展望
CASICON2021第三代半导体联盟秘书长于坤山功率射频技术市场现状未来展望
 评论 ⋅  2021-09-14 10:39
【CASICON 2021】启迪半导体钮应喜：碳化硅外延装备及技术进展
 评论 ⋅  2021-09-14 10:36
【CASICON 2021】中国科学技术大学龙世兵：低成本高性能氧化镓功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 10:32
【CASICON 2021】东南大学教授刘斯扬：SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展
 评论 ⋅  2021-09-14 10:30
【CASICON 2021】Crosslight创始人李湛明：将GaN功率器件推向极限——材料和TCAD视角
 评论 ⋅  2021-09-14 10:02
【CASICON 2021】云南锗业公司首席科学家惠峰：VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用
 评论 ⋅  2021-09-14 09:58
【CASICON 2021】湖南国芯半导体科技戴小平：SiC模块封装技术探讨
 评论 ⋅  2021-09-14 09:55
【CASICON 2021】中国电科首席科学家陈堂胜：低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 09:51
【CASICON 2021】南京工业职业技术大学雷建明：GaN功率开关器件及其高频电源应用
 评论 ⋅  2021-09-14 09:42
CASICON 2021前瞻：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射频外延技术
西安唐晶量子科技有龚平6inchGaAs基VCSEL射频外延技术
 评论 ⋅  2021-09-12 10:15
CASICON 2021前瞻：碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展
 评论 ⋅  2021-09-11 06:04
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