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1万伏!我国实现6英寸
AlN
单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破
CASICON晶体大会前瞻|北京化工大学张纪才:(11-22)
AlN
材料的HVPE生长及其二极管制备研究
CASICON晶体大会前瞻 |北京大学教授沈波:
AlN
单晶衬底和外延薄膜的制备
北京大学教授于彤军:大尺寸
AlN
单晶生长研究
IFWS 2023│Yuri MAKAROV:利用碳化钽的坩埚中物理气相传输生长SiC和
AlN
晶体
IFWS 2023│高通量方法辅助筛选和预测半导体界面结构——以β-Ga2O3 /
AlN
界面为例
CASICON 2023深圳前瞻 |博睿光电副总经理梁超博士:面向高功率器件的超高导热
AlN
陶瓷基板的研制及开发
CASICON西安站前瞻|西安交通大学陈冉升:六方氮化硼薄膜生长及hBN/B
AlN
异质结构电学特性的研究
世界最好水平!奥趋光电推出新一代超高透过率
AlN
单晶衬底
西安交大科研人员在垂直结构hBN/B
AlN
异质结电学特性研究方面取得重要进展
厦门大学副教授高娜:基于超短周期超晶格
AlN
/GaN的深紫外短波光发射调控
奥趋光电发布高性能、耐超高温
AlN
单晶衬底基AlScN压电材料新产品
我国研究者开发
AlN
O新型缓冲层,提升绿光LED效率方面获重大进展
北京大学物理学院教授于彤军:大尺寸
AlN
单晶的同质PVT生长研究
奥趋光电王琦琨博士:PVT法生长高质量大尺寸
AlN
单晶的最新进展与挑战
中科院宁波材料技术与工程研究所陈荔:基于蓝宝石衬底的半极性面
AlN
外延及高温热处理研究
北京大学许福军:高质量
AlN
实现路径探索及深紫外发光器件应用
【CASICON 2021】奥趋光电吴亮:
AlN
/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望
科研人员提出超宽禁带半导体材料
AlN
位错抑制新方法
超宽禁带
半导体材料
AlN
位错抑制
新方法
山东大学张雷:温度梯度对PVT法生长
AlN
晶体的影响
江苏博睿光电梁超:Y2O3-CaF2对LED用
AlN
封装基板性能的影响
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